本发明涉及一种基于电镀工艺的MEMS谐振器制备方法，包括：在SOI硅片的顶层硅上刻蚀出谐振梁和电极区域，将谐振梁区域和电极区域刻蚀到SOI硅片的埋氧层；采用高温氧化工艺制备设定厚度的氧化层覆盖谐振梁区域和电极区域；刻蚀除了第一电容间隙处...