本发明涉及半导体仿真技术领域，具体涉及半导体器件功耗仿真数据分析方法及系统，包括：设定半导体器件的若干种工作场景和设计参数，对各工作场景和各设计参数下的半导体器件进行仿真，基于半导体器件在任意工作场景下结温数据和环境温度数据的差异，并结...

本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种集成化的SGT功率MOSFET，包括：在集成化SGT功率MOSFET工作状态中，先对栅极电压控制信号进行自适应调整，然后划分至少两个栅极驱动周期，并划分出栅极驱动周期内的电流建立阶段，根据栅极驱...

本技术涉及一种可降低反向漏电流的低压齐纳二极管器件，包括N型衬底，所述N型衬底底面形成有背面金属层，顶面上形成N型埋层，所述N型埋层上形成有N型外延层；所述N型外延层的中部从下向上依次形成有P+有源区和反型层，且反型层的上端面与N型外延...

本实用新型涉及一种新型TVS/ESD的保护器件，包括连接部，所述连接部包括上引脚、螺杆、上卡扣、下卡扣、下引脚和盖板，所述壳体的内部设置有上引脚，所述上引脚通过其左侧固定安装的螺杆与连接脚螺纹连接，所述上引脚的顶部固定安装有上卡扣，所述...

本实用新型涉及一种具有TVS/ESD的保护器件结构，包括外框，所述外框的左侧固定安装有气泵，所述外框的内壁固定安装有卡接结构，所述外框的顶部和底部内壁均固定安装有离子风管。该具有TVS/ESD的保护器件结构通过设置外壳、气泵和离子风管，...

本实用新型涉及一种低压大电流Mosfet功率模块，包括支撑框，所述支撑框的内部固定安装有芯片本体，所述支撑框的内部固定安装有降温散热机构，所述支撑框的内部固定安装有数量为两个的模块本体；所述降温散热机构包括散热基板、吸热块、冷凝块、陶瓷...

本实用新型公开了一种高击穿电压的GaN HEMT元件，包括设置在衬底上的成核层；成核层的上方设有缓冲层，缓冲层的上方设有背部势垒层；背部势垒层上设有经刻蚀形成的背部势垒区，背部势垒区包括多个背部势垒块背部势垒区上方依次设有沟道层和势垒层...

本实用新型公开了一种低钳位电压正负浪涌防护二极管，包括背面设有背面电极的衬底；衬底的正面设有沿水平方向排布的Nwell区和Pwell区；Nwell区和Pwell区之间、Nwell区的外端以及Pwell区的外端均设有深槽隔离；Nwell区...

本实用新型公开了一种低容值低残压ESD保护器件，由两个低容二极管(D1、D2)、一个SCR管和一个穿通型钳位TVS构成三端器件，第一降容管D1的阳极与SCR管的阴极相连，D1管的阴极与D2的阴极相连形成第一端口IO1，T1的阳极与TVS...

本实用新型公开了一种高速高响应度的硅基光电二极管，在不影响光电二极管响应度的前提下，解决了硅基光电二极管响应速度慢的问题。本实用新型通过低阻材料降低了扩散区电阻，缩短了扩散时间；通过增加高反层，降低了耗尽区的物理厚度，缩短了漂移时间；通...

本发明公开了一种高速高响应度的硅基光电二极管及其制备方法，在不影响光电二极管响应度的前提下，解决了硅基光电二极管响应速度慢的问题。本发明通过低阻材料降低了扩散区电阻，缩短了扩散时间；通过增加高反层，降低了耗尽区的物理厚度，缩短了漂移时间...

本发明公开了一种低容值低残压ESD保护器件及其制备方法，由两个低容二极管(D1、D2)、一个SCR管和一个穿通型钳位TVS构成三端器件，第一降容管D1的阳极与SCR管的阴极相连，D1管的阴极与D2的阴极相连形成第一端口IO1，T1的阳极...