提出和描述了一种切克劳斯基型晶体生长的实现方式。更具体地，描述了一种具有合适的绝缘和流布置的熔炉，用于改善晶体生产的成本效率。这通过所描述的新的热区结构、气流和生长工艺来实现，其通过例如提供用于打开热区和方便地使所述热区适应新的晶体直径...

一种用于制造具有用于去除杂质的活性层的半导体晶片结构的方法，其中所述方法包括以下阶段：将第一层沉积到第一晶片表面上，用以提供活性层；为下一个阶段对所述第一层进行准备的可选阶段；在第二晶片上生长出热氧化物层；将所述第一和第二晶片粘接成一叠...