宁波瑞纳森电子科技有限公司专利技术

宁波瑞纳森电子科技有限公司共有3项专利

  • 本实用新型涉及一种线性薄膜磁阻传感器、线性薄膜磁阻传感器电路及闭环电流传感器与开环电流传感器,其包括种子层;参考层,位于种子层上,具有第一磁矩;非磁性隔离层,位于所述参考层上,将参考层与磁性自由层隔离;磁性自由层,位于非磁性隔离层上,具...
  • 本实用新型涉及一种磁阻传感器,尤其是一种具有聚磁层的线性薄膜磁阻传感器及线性薄膜磁阻传感器电路,属于半导体的技术领域。按照本实用新型提供的技术方案,所述具有聚磁层的线性薄膜磁阻传感器,包括衬底;磁阻传感器本体,位于衬底上,具有方向上相互...
  • 本实用新型涉及一种薄膜磁阻传感器元件,包括下电极、种子层、反铁磁钉扎层、磁性被钉扎层结构、非磁性隔离层、磁性自由层、保护层、上电极、偏磁层。本实用新型还涉及包含本实用新型的薄膜磁阻传感器元件的电桥。本实用新型的薄膜磁阻传感器元件及其组成...
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