本申请公开了一种晶片检测设备，包括：可转模块与支撑模块，可转模块包括固定组件与传动组件，固定组件适于固定待检测晶片，传动组件沿轴向设于固定组件的远离待检测晶片一侧，传动组件在远离待检测晶片一侧沿周向均布、并沿轴向设有至少一安装部；支撑模...

本申请公开了一种碳化硅晶棒的切割方法，包括：提供待切割晶棒，晶棒具有一沿轴向延伸的圆弧形外周面；确定晶棒在切割方向上的入刀顶点，并在入刀顶点处粘接牺牲组件，牺牲组件覆盖入刀顶点并沿晶棒的轴向延伸，粘接剂形成刚性粘接胶层，控制切割线网沿垂...

本申请公开了一种碳化硅晶片的制备方法，制备方法包括步骤：S100、将待处理晶片设置于承载台，采用磨削件对待处理晶片进行粗磨，磨削待处理晶片的深度为20μm~50μm，得到第一晶片；S200、使承载台与磨削件的旋转方向相反，通过磨削件对第...

本申请公开了一种碳化硅晶圆翘曲的修复方法以及碳化硅晶圆，包括以下步骤：S1.预处理：将线切翘曲度超规的晶圆倒角处理；S2.贴膜：对晶圆进行全表面映射测量，定位晶圆翘曲的高点位，在高点位的背面贴定位膜；S3.贴蜡：对晶圆背面贴蜡，随后将晶...

本申请公开了一种碳化硅晶片的清洗方法，清洗方法包括步骤：S100、提供自旋转的待清洁碳化硅晶片，使用水气二流体对待清洁碳化硅晶片进行喷射清洗，得到第一晶片；S200、使用第一清洁溶液对第一晶片进行清洗，得到第二晶片，第一清洁溶液的溶质包...