一种制备半导体器件用金刚石散热的方法，步骤包括：将金属管缠绕于金刚石样片的侧壁表面，并在所述金属管内注入冷却液；所述金属管的外壁喷涂有磁致冷涂层，所述样片下方设有与热源贴合的金属层；当所述热源温度达到预设阈值时，自动触发周围磁场，使所述...

本发明提出了一种N型金刚石材料及其制备方法，属于半导体材料技术领域。本发明的N型金刚石材料的晶格结构中包括锂原子和氮原子，制备方法为：将原始金刚石片与碳酸锂粉末混合，压力退火处理后得到注锂金刚石，之后对所述注锂金刚石进行N2等离子处理，...

本申请提供一种MPCVD微波单晶生长压力控制装置及设有该压力控制装置的生长设备，包括炉体和真空泵，其特征在于，在炉体和真空泵之间设有过滤器，且在所述过滤器的两端构置有两条用于连通所述炉体与所述真空泵的旁侧管道，且两条所述旁侧管道的进气口...