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纳维达斯半导体股份有限公司专利技术
纳维达斯半导体股份有限公司共有4项专利
脉冲驱动功率FET制造技术
公开了一种功率驱动电路。该功率电路包括:脉冲检测器,经配置以分别响应于第一脉冲信号及第二脉冲信号而产生第一控制信号及第二控制信号。该功率驱动电路还包括状态储存装置,经配置以分别响应于该第一控制信号及该第二控制信号而产生第一驱动器输入信号...
反激变换器制造技术
公开了一种变换器电路。该变换器电路包含:变压器及连接至该变压器的初级侧的初级电路,其中该初级电路包含连接至地的第一开关。该变换器电路还包含连接至第一开关的第二开关及连接至该第二开关并连接至输入的钳位电容器。该变换器电路还包含连接至该变压...
用于GaN电路负载的GaN电路驱动器制造技术
公开了一种电子电路。电子电路包括具有GaN的衬底,以及形成在衬底上并包括第一控制栅极和第一源极的功率开关。电子电路还包括形成在衬底上并包括耦接到第一控制栅极的输出的驱动电路,以及具有电源电压并耦接到驱动电路的电源,其中输出可以被驱动到电...
具有分布式栅极的功率晶体管制造技术
公开了一种电子电路。电子电路包括分布式功率开关。在一些实施例中,电子电路还包括分布式栅极驱动器、分布式栅极下拉装置、分布式二极管以及低电阻栅极和/或源极连接结构中的一个或多个。还公开了包括该电路的电子组件以及制造该电路的方法。
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