本发明公开了一种降低红外锗单晶原生坑洞的方法，属于红外人工晶体技术领域，包括如下步骤：1）将一定量的清洗干净的区熔锗锭和质量为M的锑投入单晶炉并封炉，锑的掺杂量比计划掺杂量M多1%～20%；2）第一次抽真空，真空度10mtorr～50m...

本发明公开了一种去除锗熔体表面浮渣的方法，属于晶体生长技术领域，包括如下步骤：1）将一定量的区熔锗锭投入洗料釜，然后向洗料釜注入去离子水覆盖住锗锭；2）加热直至70℃～100℃，向洗料釜加入氨水或胺类化合物中的任意一种或多种，浓度5%～...