本申请公开一种阻变存储器及其制备方法，涉及存储器技术领域。该阻变存储器，包括顶电极、底电极，以及设置于顶电极和底电极之间的阻变层和应变结构，阻变存储器写入时，应变结构发生形变对阻变层形成压应力，使得阻变层中的氧空位向阻变层的中心聚集；阻...

本申请涉及半导体领域，公开了一种阻变存储器及其制备方法，存储器包括至少一个存储单元，每个存储单元包括：第一金属互连层、导电栓塞、第一电极、阻变层、第一介质层、第二介质层、第二金属互连层、至少两个第二电极和至少两层氧离子储备层；导电栓塞位...

本申请公开了一种存储设备，包括第一非易失性极化存储器件、第二非易失性极化存储器件、栅极驱动器件、漏极差分检测器件；第一非易失性极化存储器件和第二非易失性极化存储器件的源极均接地，漏极均连接漏极差分检测器件，栅极分别连接栅极驱动器件的第一...

本申请公开了基于存内计算阵列的图像识别方法、装置、设备及介质，存内计算阵列基于铁电场效应晶体管阵列和电阻式随机存取存储阵列构建，且电阻式随机存取存储阵列中行电极与列电极交叉位置配置铁电场效应晶体管和电阻式随机存取存储器件，涉及人工智能技...

本发明涉及一种半导体器件及存储器。半导体器件包括：铁电晶体管和存储电容；铁电晶体管包括源极区、漏极区、沟道区和栅极；源极区和漏极区位于衬底中；沟道区位于衬底中，且位于源极区和漏极区之间；栅极，覆盖沟道区的表面；其中，栅极包括层叠设置的隧...

本发明涉及一种半导体器件及其制备方法。半导体器件包括：依次层叠设置的第一电极层、阻变功能层和第二电极层；阻变功能层包括阻变材料层和氧捕获层，氧捕获层包括第一子层；第一电极层和第二电极层在阻变材料层上的投影重叠，构成电极重叠区域；其中，第...

本申请提供了一种RRAM存储器及其制作方法，涉及存储器技术领域。该RRAM存储器包括：底部结构；其中，底部结构包括金属层；位于金属层上的下电极；分别位于下电极顶部两侧的第一存储结构与第二存储结构；其中，第一存储结构与第二存储结构均包括逐...

本申请提供了一种阻变存储器及其制作方法，涉及阻变存储器技术领域。首先提供一基体结构，其中，基体结构包括垂直通孔及通孔上方的层间介质层，之后对基体结构进行刻蚀，并在垂直通孔区域形成倒梯形沟槽；然后基于倒梯形沟槽的底部沉积下电极；再基于下电...

本申请涉及半导体领域，公开了一种阻变存储器及其制作方法，阻变存储器包括至少一个存储单元，存储单元包括第一金属互连层、第一介质层、第一阻变层、第二介质层、导电插塞、至少一个第一导电体和第二金属互连层；第一阻变层在通电后形成有导电细丝；第一...