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目的地二D公司专利技术
目的地二D公司共有2项专利
石墨烯后端工艺集成互连结构制造技术
一种互连结构,包括:第一BEOL(后端工艺)层级,其包括第一MLG(多层石墨烯)层,第一MLG层包括至少一个MLG材料第一线结构;以及第一隔离层,其包括电绝缘材料并设置在所述至少一个MLG材料第一线结构的上方和旁边;第二BEOL层级,其...
包括合成石墨烯掺杂的大面积/晶圆级CMOS兼容的二维材料插层掺杂工具、工艺和方法技术
一种插层掺杂装置,包括:反应室,其中单个或多个晶圆或基板(SoMWoSubs)设置在该反应室内,其中SoMWoSubs的直径或两侧边距为25mm至450mm;加热器,其中所述加热器被配置为向设置在所述反应室内的SoMWoSubs提供热量...
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