本发明公开了一种高速多通道硅光集成芯片制备工艺，涉及光子集成芯片制备技术领域，准备绝缘体上硅晶圆，硅波导通过深紫外光刻技术制备，通过3种蚀刻初步成型纳米硅，通过4种参杂形成PN结型结构，利用等离子增强化学气相沉积工艺形成包层结构，通过化...

本发明公开了一种硅基MZ调制器的制备工艺，涉及光通信元件领域，准备绝缘体上硅晶圆；制备硅波导并蚀刻，初步形成硅层；将带电的杂质离子加速并注入到硅层中；采用深紫外光刻设备加工，蚀刻制作波导中间的Slot；制作电极通孔和铝铜金属层；增厚二氧...