本实用新型公开了一种光学石英晶体单面长控制板，具有主板，在主板的一个侧边与主板成直角设置副板。本实用新型在使用时，主板水平布置，随着晶体朝着单一Ｚ向的生长，比－Ｘ方向生长速率快一倍的＋Ｘ方向得到抑制，提高了晶体Ｚ区的比例，晶体的可利用率...

本发明属于一种石英晶体的生长工艺，本发明的任务是提供一种采用水热温差结晶法生长出一种石英晶体，使其指标达到：（１）腐蚀隧道密度：＜１００条／ｃｍ＃＋［２］（２）Ｑ值：≥２．６×１０＃＋［６］；（３）包裹体：Ｉａ类以上；（４）光学均匀性：...

本发明公开了一种光学级石英晶体变温温差法生长工艺，首先清洗籽晶、石英石原料，配制去离子水及生长液，用离子水清洗高压釜并用隔膜泵抽干，然后在清洗好的釜内放入装有石英石的原料筐，注入已配制好的生长液和挂有籽晶的籽晶架，量好液面，将釜口密封，...

本发明公开了一种光学级单面长石英晶体生长工艺，首先清洗籽晶、石英石原料，配制去离子水及生长液，用离子水清洗高压釜并用隔膜泵抽干，然后在清洗好的釜内放入装有石英石的原料筐，注入已配制好的生长液和挂有籽晶的籽晶架，量好液面，将釜口密封，再启...