一种半导体器件具有安装在载体上的半导体管芯。密封剂被沉积在载体和半导体管芯上。除去载体。第一互连结构形成在密封剂和所述管芯的第一表面上。第二互连结构形成在密封剂和所述管芯的第二表面上。在形成所述通路之前，第一保护层形成在第一互连结构上，...

本发明涉及半导体器件和在FO-WLCSP中形成IPD的方法。一种半导体晶片包含半导体管芯。第一导电层形成在管芯上。电阻层形成在管芯和第一导电层上。第一绝缘层形成在管芯和电阻层上。晶片被单体化以分离管芯。该管芯被安装到临时载体。密封剂沉积...