本发明提供了一种晶体振荡器(XO)及其快速启动方法。所述XO可以包括XO核心电路、频率合成器和快速启动接口电路，其中所述频率合成器可以包括压控振荡器(VCO)和分频器。所述XO核心电路产生具有XO频率的XO信号。所述VCO产生具有VCO...

一种用于处理无线网络中的切换的方法及通信装置，所述通信装置包括无线电收发器和调制解调器处理器。无线电收发器配置为在无线网络中发送或接收无线信号。调制解调器处理器耦接到无线电收发器并配置为执行以下操作：经由第一频带中的第一通信链路连接到第...

提供一种包括无线收发和控制器的用户设备。无线收发器执行到以及来自移动通信网络的发送和接收。控制器确定移动通信网络是否支持IMS服务。控制器经由该无线收发器为IMS服务与移动通信网络建立分组数据网络连接或协议数据单元会话，以响应于移动通信...

本发明公开一种收发器，包括：射频前端电路，布置为用于处理至少第一无线通信标准的通信；专用射频前端电路，布置为处理第二无线通信标准的通信；以及可切换匹配电路，在该射频前端电路处于工作状态时，在该信号端口和该射频前端之间提供阻抗匹配；当该专...

一种半导体封装结构包括前侧重布线层、堆栈结构、后侧重布线层、第一IP核和第二IP核。堆栈结构设置在前侧重布线层上方并且包括第一半导体裸晶和第一半导体裸晶上方的第二半导体裸晶。后侧重布线层配置于堆栈结构上。第一IP核配置于堆栈结构中并通过...

本发明涉及中继器的功率控制方法。在本发明的一方面，提供了一种方法、计算机可读介质和装置。所述装置可以是无线设备。无线设备接收用于发送参考信号的配置。无线设备接收在基站和UE之间传输的RF信号。无线设备放大RF信号以产生放大的RF信号。无...

本发明提供了执行因特网可达性管理的方法及相关装置。所述方法包括：UE的处理器建立与第一接入设备的第一连接；处理器接收第一接入设备发送的符合第一协议的指示符；响应于接收到所述指示符，处理器执行符合第二协议的可达性检测，以生成检测结果；响应...

通信装置包括无线电收发器、应用处理器和调制解调处理器。无线收发器通过通信链路与网络装置进行通信，向无线网络中的网络装置发送无线电信号，或从网络装置接收无线电信号。配置应用处理器运行一个或多个应用程序。调制解调处理器耦接到无线电收发器和应...

本发明公开一种使用区块分割进行视频编解码的方法和装置。根据本发明，关于在没有图像质量下降的情况下的主动立体的相机配置的各种示例被描述。第一传感器和第二传感器被控制以获取场景的图像。第一传感器被配置为感测第一光谱中的光。第二传感器被配置为...

提供了一种用于上行链路数据传输的功率优化方法。所述功率优化方法应用于UE。所述功率优化方法包括以下步骤。UE确定UE的当前应用场景。UE确定与当前应用场景相对应的数据传输窗口。与UE的不同应用场景相对应的数据传输窗口具有传输数据的不同时...

一种应用于UE的用于共存的基于OFDM无线电接入技术的干扰减轻方法，其中，该方法包括接收专用RRC信号，其中该专用RRC信号提供相邻LTE小区在一个或多个LTE载波上的LTE CRS配置信息，并提供NR服务小区的相应频率位置和带宽，其中...

本发明提供了一种放大电路，其中，该放大电路包括输入端、电容器、放大器、反馈电路以及混叠音调消除电路。输入端被配置为接收第一输入信号。电容器耦接到输入端。放大器被配置为通过电容器接收该输入信号以产生输出信号。反馈电路耦接在放大器的输入端和...

本发明公开一种用于测试被测装置的测试套件，包括：插座结构，用于容纳该被测装置；以及柱塞组件，与该插座结构可拆卸地连接，其中该柱塞组件包括多层结构，该多层结构包括由顶部插座和座体夹在中间的至少一个中介层基板。本发明中的测试套件利用中介层基...

提供了一种锁频环(FLL)及其输出信号的振荡频率校正方法。FLL包括至少一个开关电容电路、第一电阻器组、第二电阻器组、判断电路和控制电路。至少一个开关电容电路包括至少一个电容器，根据FLL的输出信号的振荡频率切换至少一个电容器的连接。第...

一种上行(uplink，简称UL)时延指示方法，包括：接入点(access point，简称AP)采集与至少一个非AP站(station，简称STA)的通信相关联的时延信息，而不对所述至少一个非AP站(STA)询问时延测量；对时延信息进...

本发明提出了一种在载波聚合(CA)中活动带宽部分(BWP)切换的方法及用户设备。为了避免其他分量载波(CC)/小区中的更长的切换延迟和多个中断，一个小区中较晚的活动BWP切换的开始时间应落在另一小区中较早的活动BWP切换的切换延迟之外。...

在本发明的一个方面，提供了一种分布式MIMO无线通信方法、一种计算机可读介质和一种装置。该装置可以是UE。UE在第一时频资源上的N

本发明公开一种半导体封装，包括：基板；半导体晶粒，安装在该基板上；以及散热器，在该半导体晶粒上方，其中该散热器包括顶部和在该顶部与该基板之间延伸的至少一个连接部分，其中该至少一个连接部分包括安装在该基板的连接焊盘上的连接引线，其中该连接...

提供了一种用于在非第三代合作伙伴计划(non

本发明公开一种半导体装置，包括：半导体基板，具有阱区；栅极结构，形成于该半导体基板的阱区上方，其中该栅极结构具有第一侧壁以及与该第一侧壁相对的第二侧壁；栅极间隔结构，包括分别覆盖该栅极结构的该第一侧壁和该第二侧壁的两个非对称部分；以及源...