LG电子有限公司专利技术

LG电子有限公司共有254项专利

  • 本发明公开了一种用于将网络配置变化通知家庭服务器的电子设备间信息交换方法及其家庭网络系统。在本发明中,当电子设备连接到网络时,设备首先以第一周期间隔向家庭服务器发送特定消息N(>1)次,然后以比第一周期长的第二周期间隔周期性地发送该特定...
  • 一种为连接到家庭网络的设备分配网络代码的方法。该方法包括:确定是否网络代码请求来初始化家庭网络;确定是否网络代码被请求来向家庭网络添加设备;当确定该请求为初始化家庭网络时,创建网络代码;确定创建的网络代码是否正在使用;以及当创建的网络代...
  • 本发明公开一种频率恢复装置和一种使用该装置的欧洲移动广播接收系统。该频率恢复装置和使用该频率恢复装置的移动广播接收器利用保护区间的相关值的I分量和Q分量估计分频偏移,以及补偿所估计的分频偏移值,从而实现校正和快速捕获性能。该反馈结构的部...
  • 本发明公开了一种有很强抗御取样偏移能力的用于广播接收器中的频率恢复装置和方法。接收按照正交频分复用(OFDM)模式传送的数字广播信号的数字广播接收器中使用的频率恢复装置包括:分割窗口,分别分割从OFDM符号转换到频域值的第一数据单元和第...
  • 一种光学共振器,包括:一透明下基板,用于光的透入;一形成于所述下基板的一个表面的平面镜;一以一定的间距连接到所述下基板上的上基板;一形成在所述上基板的一个表面上的凹镜,用于和所述平面镜一起形成一半球形的共振腔;和一微动装置,用于控制所述...
  • 一种光通信微准直透镜系统包括:一个在硅衬底上对准某方向的用于传送光信号的光纤;以及至少两个排列在硅衬底上以便能够多级校准光信号的透镜,从而改善组装光信号校准透镜系统的效率并降低制造成本。
  • 一种用于光通信的可变光衰减器,包括:多个定位凹槽被模制在上面的一个衬底;一个输入光纤,输入光纤在定位凹槽之一中定位并且接收光信号;一个反光镜,反光镜形成在衬底上,从而移动以改变已经通过输入光纤的光信号的路径;一个输出光纤,输出光纤在定位...
  • 本发明提供一种音频编解码系统和使用该音频编解码系统的编码方法。根据该方法,当输入的模拟音频信号被编码时,重复进行编码和解码过程以便确定最佳化的编码参数。使用最初的编码参数对输入模拟音频信号进行编码和解码,和在编码过程期间中使用计算的差分...
  • 本发明公开一种模拟数字转换器装置。该模拟数字转换器装置包括抽样保持放大器,第一模拟数字转换器,复合数字模拟转换器,第二模拟数字转换器和数字校正逻辑。抽样保持放大器使用时钟升压采样模拟输入信号。第一模拟数字转换器接收采样信号并转换为第一数...
  • 本发明涉及到一种具有触摸屏的前滤波器,以及具有该前滤波器的等离子显示装置。前滤波器配置在等离子显示装置的面板的前表面上,前滤波器包括:一个用于生成与触摸点相关的坐标信号的触摸屏。
  • 本发明所公开的是一种薄膜腔声谐振器,具有该薄膜腔声谐振器的双工滤波器,及其半导体封装。该薄膜腔声谐振器包括:半导体底层;在半导体底层上表面形成的两层以上的下面的电极;在下面的电极上表面沉积的具有一定厚度的压电层;在压电层上表面形成的两层...
  • 使用碳纤维的负离子发生器,便于制造,可提高负离子发生效率并通过在活化碳纤维内分布金属微粒然后对其施加电压实现提高的抗菌和杀菌功能。为此,该负离子发生器包括:其中分布有金属微粒的碳纤维;连接到碳纤维上并且其上施加有电压的电极;及用于为电极...
  • 一种光纤耦合系统,包括:    一具有预定厚度和面积的衬底;    一激光束发射单元,附着在所述衬底的一侧,并且发射激光束;    一第一精密透镜,插入地固定于形成在所述衬底上的一第一安装槽中,并且聚焦或者校准从所述激光束发射单元中发射...
  • 本发明涉及一种用化合物半导体制造光发射装置的方法,更特别是一种用Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体制造光发射装置的方法,通过在比传统技术低的温度下进行热处理,增加元件光发射效率或耐久性,即在高氧浓度条件下激活p-半导体层,此想法来源众所周知的事实,即...
  • 本发明公开一种发光装置及其制造方法。在发光装置的衬底上形成有沟部,并且缓冲层、n-接触层和活性层被顺次地沉积在沟部,从而提高活性层的发光面积。因此,发光效率得到提高,并且以同样大小的衬底就可以获得高亮度的光,进而降低生产成本。
  • 本发明涉及高质量氮化物半导体薄膜及其制作方法,根据本发明,在衬底上形成由电介质材料或金属材料制成的掩模材料膜图案,在制作氮化物半导体薄膜时在形成聚并之前去除该掩模材料膜图案,并且氮化物半导体薄膜再侧向制作。因此,本发明的优势在于能够制作...
  • 本发明提供了氮化物半导体激光二极管及其制作方法。该方法包括步骤:a)通过顺序蒸发衬底、无掺杂的GaN层、n-型层、多量子阱(MQW)、电子阻隔层(EBL)和p-型层形成氮化物半导体层;b)通过研磨衬底和无掺杂的GaN层去除氮化物半导体层...
  • 本发明涉及一种氮化物半导体薄膜及其生长方法。本发明的优点在于,通过部分蚀刻基底而在基底上形成多个凹槽,在该凹槽内形成防止氮化物半导体纵向生长的脚部,从而氮化物半导体薄膜侧向生长以覆盖脚部的顶部,因此确保了生长高质量的氮化物半导体薄膜。
  • 一种发光器件,包括:具有第一电极和第二电极的发光元件,和在其主表面具有其内部安装该发光元件的孔穴,并与发光元件电连接的半导体构件,其中该半导体构件构造为稳定外部输入电压的电压调节二极管。结果,发光元件可得到保护以免受到静电或从外部流入的...
  • 一种用于安装发光器件的安装衬底及其制造方法,其中,由于用于安装集成有齐纳二极管的发光器件的安装衬底可以通过硅体微机械加工处理而不使用扩散掩模制造,一些涉及扩散掩模的过程可以被省略,从而降低了加工成本,而且其中,由于发光器件可以直接被倒装...