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镭友芯科技苏州有限公司专利技术
镭友芯科技苏州有限公司共有9项专利
一种高光吸收率低暗电流的锗基光电器件及制造方法技术
本发明涉及集成电路制造技术领域,具体公开一种高光吸收率低暗电流的锗基光电器件及制造方法。该光电器件包括基底,用于支撑和保护所述光电器件;功能层,设置于所述基底上,用于增强反射,加大所述光电器件对特定范围波长的吸收率;纳米天线结构,包括锗...
一种麦克风传感器及其制备方法技术
本发明公开了一种麦克风传感器及其制备方法,半导体衬底,其内部形成贯穿上下表面的开口;第一介质层,位于所述半导体衬底上表面;复合振膜,其包括依次层叠设置的底部电极、第二介质层、下电极层、压电材料层、上电极层,所述复合振膜的边缘位于第一介质...
基于红外热电堆阵列的测温组件、灶具制造技术
一种基于红外热电堆阵列的测温组件、灶具,所述测温组件包括:红外热电堆阵列芯片;连接件,包括固定连接的竖直连接件和水平连接件,其中,所述红外热电堆阵列芯片设置在远离所述水平连接件的竖直连接件的一端且朝向水平方向,以在工作状态下能够自待检测...
基于钽酸锂薄膜的谐振器及其形成方法技术
一种基于钽酸锂薄膜的谐振器及其形成方法,所述方法包括:在半导体衬底的表面上形成空腔,并在所述空腔内填充牺牲层;形成图形化的下极板金属层,所述下极板金属层的一部分覆盖所述牺牲层;形成覆盖所述牺牲层的图形化的
一种气体探测器及制备方法技术
本发明公开了一种气体探测器及其制备方法,包括:半导体衬底,位于所述半导体衬底表面的像素单元;位于半导体衬底内的气室空腔,其对应像素单元中每一个像素单元在半导体衬底内的投影位置;位于半导体衬底内的嵌入式激光器,其侧边的半导体衬底内具有通向...
智能锁及其NFC充电系统技术方案
一种智能锁及其NFC充电系统,所述NFC充电系统包括:NFC天线组件,用于接收外部NFC信号并输出射频信号;整流器,所述整流器的输入端与所述NFC天线组件耦接,用于接收所述射频信号并进行整流处理;稳压器,所述稳压器的输入端与所述整流器耦...
一种光探测器件及制备方法技术
本发明公开了一种光探测器件及其制备方法,步骤S1:提供一形成有读出电路阵列的基板,阵列中的每一个读出电路的单元对应一个像素单元;步骤S2:在基板的读出电路阵列上形成电子传输层阵列;步骤S3:在像素单元之间形成隔离墙;步骤S4:在隔离墙之...
一种光探测器件及其制备方法技术
本发明公开了一种光探测器件及其制备方法,所述光探测器件包括:形成有读出电路阵列的基板,阵列中的每一个读出电路的单元对应一个像素单元;位于基板上的电子传输层阵列,其与对应的读出电路阵列相连;位于电子传输层阵列上的布拉格反射层,覆盖在电子传...
一种热电堆传感器及制备方法技术
本发明公开了一种短波红外探测器及其制备方法,包括:热电堆结构板,所述热电堆结构板具有支撑结构和热辐射感应区;顶盖结构,所述顶盖结构包括第二半导体基板,所述第二半导体基板具有深凹槽;底盖结构,所述底盖结构包括第二半导体基板,所述第三半导体...
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