本发明涉及一种用于SiC晶体生长炉的平整保持装置，包括处理单元、石墨坩埚以及设置于石墨坩埚竖向底面的姿态调节机构。石墨坩埚连接有氩气腔以实现内部封闭环境的压力平衡；处理单元基于石墨坩埚测温孔检测数据与内部温度场、自然对流场模拟结果，通过...

本发明涉及晶体生长技术领域，提供用于SiC生长炉的籽晶静电吸附稳固装置，包括：作为保护用壳体的壳体，所述壳体的底侧固定连接有用于吸附片状SiC籽晶的陶瓷吸附盘，所述陶瓷吸附盘由壳体内部所安装的放电电极供电，以令放电电极所产生的电场在作为...