一种物质组合物，包含：外延生长于多晶或单晶石墨烯层上的多个III

本发明涉及一种半导体器件，例如，用于发射或吸收优选地在深紫外线(DUV)范围内的光的半导体器件。所述器件例如谐振腔发光二极管(RCLED)或激光二极管由以下部件形成：衬底层(302)，其优选地包括分布式布拉格反射器(DBR)；石墨层(3...

一种物质的组合物，其包含：可选地携载于支撑件上的石墨基板；直接沉积于该基板的顶部上与任何支撑件相对的具有不大于50nm的厚度的晶种层；及直接于该晶种层的顶部上的氧化物或氮化物遮罩层；其中多个孔是贯通该晶种层及贯通该遮罩层至该石墨基板而存...

一种发光二极管装置，包括：在石墨基板上生长的多个纳米线或纳米锥，该纳米线或纳米锥具有p‑n或p‑i‑n结，与该石墨基板电接触的第一电极；与该纳米线或纳米锥的至少一部分的顶部接触的光反射层，该光反射层可选地充当第二电极；可选地，与该纳米线...

一种用于生长纳米线或纳米角锥体(nanopyramid)的方法，其包含：(I)提供石墨基板并且在升高的温度下将AlGaN、InGaN、AlN或AlGa(In)N沉积于该石墨基板上，以形成所述化合物的缓冲层或纳米级成核岛(纳米尺度成核岛)...