本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种多类型表面粗糙度的碳化硅涂层石墨盘及其制备方法。所述制备方法的核心在于：基于预定的表面粗糙度变化规律进行反向设计，即首先确定石墨盘各区域的目标粗糙度，然后根据该规律：初始粗糙度低于一预设阈值的区域沉...

本发明属于化学气相沉积（CVD）技术领域，具体涉及一种钽‑碳化钽复合涂层的石墨器件及其流量波动制备法。该方法首先在石墨基体表面通过周期性流量波动CVD技术沉积钽金属缓冲层，然后在缓冲层上同样采用流量波动技术控制并沉积碳化钽涂层。本发明通...

本发明属于半导体材料制备技术领域，具体涉及一种通氯气实时调控碳硅比的方法及碳化硅涂层。该方法在1000~1300℃、5~15kPa的条件下，在通入含硅碳前驱体和氢气的同时，连续通入0.05~2%的氯气，并利用电感耦合等离子体光发射光谱仪...