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季昀专利技术
季昀共有14项专利
铱错合物、铂错合物及含氮三牙配基制造技术
本发明提供一种铱错合物、铂错合物及含氮三牙配基,铱错合物由通式(I)所表示,其中R1及R5各自独立为经取代或未经取代的C
铱络合物及使用其的有机发光二极管制造技术
本发明提供一种铱络合物以及使用所述铱络合物的有机发光二极管。所述铱络合物由通式(I)表示。通式(I)中A1、A2、A3、A4以及A5各自独立为不饱和的五元环或不饱和的六元环。
铂错合物、有机发光二极管与可发出可见光或近红外光的装置制造方法及图纸
本发明提供一种铂错合物、有机发光二极管与可发出可见光或近红外光的装置。此铂错合物具有由以下通式(I)所表示的结构:其中A1至A4各自独立地为不饱和的五元环或不饱和的六元环;X为碳或氮;以及具有A1及A4的第一螯合配基的形式电荷数为负一价...
具有类四面体构形的有机化合物制造技术
本发明涉及一种具有类四面体构形的有机化合物,其具有由以下通式(I)所表示的结构:
铂错合物、有机发光二极管与可发出可见光或近红外光的装置制造方法及图纸
本发明提供一种铂错合物、有机发光二极管与可发出可见光或近红外光的装置。此铂错合物具有由以下通式(I)所表示的结构:
铱错合物及含氮三牙配基制造技术
一种铱错合物及含氮三牙配基,此铱错合物由通式(I)所表示。通式(I)中,R
铂错合物及使用其的有机发光二极管制造技术
一种由通式(I)或通式(II)所表示的铂错合物及使用其的有机发光二极管。
铱错合物、使用其的有机发光二极管及具碳烯结构的含氮三牙配基制造技术
一种铱错合物、使用其的有机发光二极管及具碳烯结构的含氮三牙配基。此铱错合物由通式(I)所表示:
具碳烯结构的铂络合物及使用其的有机发光二极管制造技术
本发明提供一种具碳烯结构的铂络合物及使用此铂络合物的有机发光二极管。此铂络合物的结构包括:一个铂金属离子、零价的第一含氮杂环双牙配基,以及负二价的第二含氮杂环双牙配基。第一含氮杂环双牙配基具有至少一个与铂配位键结的碳烯部位。第二含氮杂环...
含双三齿配体的铱金属配合物制造技术
本发明涉及含双三齿配体的铱金属配合物。一种由式(I)所示的含双三齿配体的铱金属配合物:其中,R1、R3至R10、X1至X3的定义如说明书与权利要求书中所定义。本发明含双(三齿配体)的铱金属配合物的合成产率高,从而有利于实际应用至有机发光...
双唑类铂金属发光错合物制造技术
一种由式(I)所示的双唑类铂金属发光错合物,其中,R1及R2各自独立的表示氟烷基;X表示C-H或氮,L1表示中性且含氮杂环的双牙配基。本发明双唑类铂金属发光错合物由于包含一负二价双牙配基,且所述负二价双牙配基更含有拉电子取代基(即氟烷基...
2-苯基-6-唑基吡啶系配基及由其所形成的第八族过渡金属配合物制造技术
一种2-苯基-6-唑基吡啶系配基,结构由式(I)所示,式(I)中,X为C-R10或氮原子;R1~R8及R10为相同或不同,且分别为氢、卤素、氰基、胺基、芳基、杂芳基、硫酸根、乙酸根、烷氧基、羰基、C1~C10的卤代烷基、C1~C12的烷...
衍生自4,4’-二酸-2,2’-双吡啶的三牙配位子、金属错合物及其应用制造技术
本发明有关一种衍生自4,4’-二酸-2,2’-双吡啶的三牙配位子,是由下式(I)所示:Y、R1、R2、R3及R4是如说明书与权利要求书中所定义者。本发明也提供一种含有该三牙配位子的金属错合物及一种含有该金属错合物的染料敏化太阳能电池。
杂配、双三齿钌配合物以及敏化染料太阳能电池制备制造技术
一种杂配、双三齿钌配合物,包含以式(1)表示的化学式:RuL1L2……(1),Ru为钌,L1及L2为三配位基杂环配位体。L1具有下列代表式(2):其中R1-R3系选自氢、羧酸基、羧酸基盐类、磺酸基、磺酸基盐类、磷酸基及磷酸基盐类所组成的...
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