本实用新型公开了一种水利施工具有加强结构的围堰，地面上竖直插接有挡板，挡板的右侧面上下两端均横向开设有楔形滑槽，楔形滑槽内滑动装配有楔形滑块和楔形限位块，上侧楔形滑块的右侧面焊接有倾斜支架，倾斜支架的右侧下端固定装配有贴合于地面的基板，...

本发明公开了一种使用方便的纺织加工用印染装置，包括底座，所述底座顶部的两侧分别固定连接有第一长杆和第二长杆，并且第一长杆的顶端固定连接有长板，所述长板底部的右侧与第二长杆的顶端固定连接，所述底座顶部的左侧固定连接有第一支撑杆，并且第一支...

本发明公开了一种安全性能高的拉丝机，包括底板，所述底板顶部的两侧均固定连接有挡板，并且底板的顶部且位于挡板的一侧固定连接有缓冲装置，所述缓冲装置的顶部固定连接有箱体，并且底板顶部的中部固定连接有减震装置，减震装置的顶部与箱体的底部固定连...

本发明公开了一种具有自动顶出机构的塑胶模具，包括底板，所述底板顶部的两侧均固定连接有支撑板，两个所述支撑板相对一侧的顶部均通过紧固螺栓固定连接有顶框，顶框的底部固定连接上模具，两个所述支撑板相对的一侧之间通过支撑柱固定连接有下模具，上模...

本实用新型涉及一种大功率高电流密度整流二极管芯片，属于半导体器件制造技术领域。由硼层、Ｎ型层和浓磷层组成，硼层、Ｎ型层和浓磷层依次排列。其中硼层的厚度为５０－６０μｍ，浓磷层的厚度为１０－１２μｍ，芯片厚度为１８０－２００μｍ。本实用新...

本发明涉及一种大功率高电流密度整流二极管芯片及其制造方法，属于半导体器件制造技术领域。本发明的芯片由硼区、Ｎ型区和浓磷区组成，硼区的厚度为５０－６０μｍ，浓磷区的厚度为１０－１２μｍ，芯片总厚度为１８０－２００μｍ。其制造方法，首先采用...

一种含磷二氧化硅乳胶源涂层扩散制备大功率半导体器件的方法，其特征在于该方法包括以下步骤：　　　　（１）在二氧化硅乳胶中加入五氧化二磷，加入的重量比为：二氧化硅乳胶∶五氧化二磷＝１∶０．１０～０．５０克五氧化二磷，使其完全溶解，成为含磷二...