本实用新型公开了一种叠层模板。它包括由铝合金材料制成的模板本体，模板本体的其中一个表面设置有用于对七十二片电池片的互联条以及汇流条进行定位的定位基准图案，模板本体的另外一个表面设置有用于对六十片电池片的互联条以及汇流条进行定位的定位基准...

本实用新型公开了一种高效双面光伏组件结构。它包括由电池片串接形成的电池串，电池串能够安装在檩条上并通过不同的檩条进行支撑，电池串中设置有与檩条所在位置对应的过渡间距，过渡间距小于檩条的宽度从而使电池串能够支撑在檩条上，电池串中过渡间距两...

本发明管式PECVD设备双面沉积太阳能电池非晶硅层的方法，采用管式PECVD设备，对太阳能电池同时进行双面非晶硅镀膜，能够减少PECVD管数量，降低设备成本，减少翻片过程，防止硅片表面摩擦及污染，提高非钝化效果；操作简便，耗费时间短，效...

本发明管式PECVD设备生产异质结太阳能电池非晶硅镀膜沉积层的方法，采用管式PECVD设备在太阳能电池表面钝化、形成pn结、场钝化的本征非晶硅、掺杂非晶硅薄膜，沉积制备正背面本征非晶硅层、p型掺杂非晶硅层、n型掺杂非晶硅层，少子寿命可达...

本发明用于生产异质结太阳能电池镀膜的PECVD设备，在立式管状结构的管式腔体内设置载片舟，载片舟由竖直绝缘杆和若干水平载片组成，竖直绝缘杆上安装若干水平载片，相邻两片载片分别连接射频电源或零电势，构成能够对HJT电池进行非晶硅沉积的类似...

本实用新型公开了一种用于异质结电池镀膜载体及膜层表面异物的清洁装置。它包括镀膜生产线以及和后吹扫装置，前吹扫装置和后吹扫装置均包括空心管以及与空心管连接的通气管路，各根空心管上均排布的与镀膜载体呈30°‑60°角度方向布置的吹气孔，镀膜...

本实用新型公开了一种光伏接线盒防感应雷击装置。它包括接线盒、接线盒内的线缆以及与线缆连接的负载所构成的回路，接线盒内设置有三个与线缆连接的旁路二极管，接线盒内还设置有与三个旁路二极管并联连接的浪涌保护器，浪涌保护器经过脱扣器和压敏电阻接...

本实用新型公开了一种可快速安装的拼接式光伏组件。它包括多组电池串以及用于固定安置各组电池串的两个安置座，两个安置座平行布置在电池串的前后两端，安置座的内侧端设置有滑槽并能够使各组电池串通过滑槽安置在两个安置座之间，各组电池串的正负极端分...

本发明公开了一种光伏组件用封装材料流动性测试方法。它包括以下步骤：A、准备两块玻璃样品，另外，裁切两块高温布；B、制作不同类型封装材料的双层胶膜样品A、B、C、D；C、从外到内依次将玻璃样品、高温布、胶膜样品叠起对齐，分别给A、B、C、...

本实用新型公开了一种光伏60/72组件通用叠层模板。它包括放置在玻璃表面上的叠层模板主体，叠层模板上能够对60组和72组光伏组件进行排版，叠层模板的宽度能够适用对6串电池串的串接排布，叠层模板上设置有电池串间距尺寸线、电池片距离玻璃边缘...

本实用新型公开了一种接线盒定位工装。它包括操作平台以及操作平台上并排设置的左、中、右三个接线盒固定装置，各个接线盒固定装置内均具有用于安置接线盒的腔体，各个腔体内均设置有与接线盒外轮廓配合的凹凸部分，接线盒安置在腔体内后能够通过凹凸部分...

本发明公开了一种高效异质结电池CVD后制程不良返工工艺方法。它包括以下步骤：A、将CVD后返工片利用CP槽药液进行第一次重复清洗去除非晶硅膜层；B、经过步骤A后制绒添加剂辅助下进行微制绒；C、利用PECVD工艺，在硅片上下表面沉积非晶硅...

本发明公开了一种HJT电池钝化工艺。包括以下步骤：A、先将N型单晶硅片进行制绒清洗，制绒清洗后绒面大小为3‑10um，反射率为11%‑13%；B、采用PECVD工艺利用纯硅烷作为前驱物进行i

本实用新型公开了一种光伏组件用的辅助加工装置，具体地说是一种单片电池快速焊接装置。它包括底盘加热平台、设置在底盘加热平台上的支撑框架，支撑框架内形成焊接腔体，焊接腔体内安置带有滑动拉杆的烙铁支架，烙铁支架上排布有伸入框架底部的烙铁，支撑...

本实用新型公开了一种适用于高效光伏组件的IV测试装置。它包括灯箱以及灯箱内设置的两组灯管，其中一组灯管为两根垂直分布的LED冷光源，该组LED冷光源的下方设置有LED冷光源滤光片，另一组灯管为两根垂直分布的氙灯灯源，该组氙灯灯源的下方设...

本实用新型公开了一种反光膜电池串贴膜返修工装。它包括水平板以及支撑座，支撑座上安置有一个通过工装卷支撑杆安装的工装卷，水平板上开有多条纵向平行排布的直槽，水平板的上方具有通过滚压轮支撑杆安装的滚压轮，滚压轮的下半部分能够选择性的伸入到其...

本实用新型公开了一种晶硅/非晶硅异质结电池结构及其制备方法。它包括硅衬底层以及硅衬底层上层的上本征非晶硅层和硅衬底层下层的下本征非晶硅层，上本征非晶硅层的上层由下往上依次设置有受光面第一掺杂非晶硅层、受光面第二掺杂非晶硅层和上TOC层，...

本实用新型公开了一种晶硅/非晶硅异质结电池结构。它包括正面金属电极和背面金属电极，正面金属电极和背面金属电极之间依次设置有上正面铟锡氧化物透明导电薄膜、下正面铟锡氧化物透明导电薄膜、正面N型非晶硅薄膜和正面本征非晶硅薄膜、N型晶体硅基底...

本实用新型公开了一种焊接机压网高度测量量具。它包括板状结构的量具本体，量具本体的下侧表面为平面结构，量具本体的上侧表面设置为间距排布相等的阶梯状结构，阶梯状结构的每阶阶梯高度差相等，所述阶梯状结构的高度从前往后逐渐增高，量具本体的阶梯状...

本发明公开了一种晶硅/非晶硅异质结电池结构及其制备方法。它包括硅衬底层以及硅衬底层上层的上本征非晶硅层和硅衬底层下层的下本征非晶硅层，上本征非晶硅层的上层由下往上依次设置有受光面第一掺杂非晶硅层、受光面第二掺杂非晶硅层和上TOC层，下本...