一种集成式功率模块。涉及半导体技术领域。包括：系统绝缘基板，顶面设有间隔固定设置的正电极金属层、负电极金属层和输出电极金属层；正电极，固定连接在所述正电极金属层上；负电极，固定连接在所述负电极金属层上；输出电极，固定连接在所述输出电极金...

高效散热单元式分立器件。涉及半导体技术领域。包括：绝缘基板，上表面设有间隔设置的漏极/集电极金属层和门极金属层；所述漏极/集电极金属层上固定连接有功率连接块二；功率芯片，下表面与所述漏极/集电极金属层固定连接，功率芯片上表面设有源极/发...

一种单元式塑封模块。涉及半导体技术领域。包括：绝缘基板，上表面设有功率金属层一；所述功率金属层一上设置有固定连接的功率连接块一；功率芯片，设有若干，通过焊接/烧结设置在所述功率金属层一上；若干所述功率芯片上表面上分别设有固定连接的功率连...

一种单元式塑封模块、集成式功率模块及其制备方法。涉及半导体技术领域。包括：绝缘基板，上表面设有功率金属层一；所述功率金属层一上设置有固定连接的功率连接块一；功率芯片，设有若干，通过焊接/烧结设置在所述功率金属层一上；若干所述功率芯片上表...

一种高效散热单元式分立器件。涉及半导体技术领域。包括：绝缘基板，上表面设有间隔设置的漏极/集电极金属层和门极金属层；所述漏极/集电极金属层上固定连接有功率连接块二；功率芯片，下表面与所述漏极/集电极金属层固定连接，功率芯片上表面设有源极...

大电流低电感功率半导体模块,涉及功率半导体技术领域。包括绝缘基板、功率芯片、键合线、正电极、负电极和输出电极；所述绝缘基板固定设置在底板上，包括间隔设置的上半桥绝缘基板和下半桥绝缘基板；所述功率芯片键合在绝缘基板的顶部；所述绝缘基板的顶...

一种低电感大功率半导体模块，涉及半导体技术领域。包括壳体、绝缘基板、功率芯片、键合线、正电极、负电极和输出电极；所述绝缘基板固定设置在底板上，包括间隔设置的上半桥绝缘基板和下半桥绝缘基板；所述功率芯片键合在绝缘基板的顶部；所述绝缘基板的...

IGBT功率模块通用的pin针转接夹具。涉及半导体器件检测设备。包括针套部，连接部和定位部。针套部的底部设有下小上大的锥形收紧部；定位部包括若干间隔设置的弹性卡爪，并与所述锥形收紧部相适配；若干弹性卡爪形成与pin针适配的卡位，将pin...

半桥IGBT功率模块的功率电极。涉及半导体技术领域。包括电性连接部、支撑部和缓冲部；电性连接部与支撑部一体成型，无需二次折弯加工，并设有用于限位拉伸的肩部；缓冲部的底部成Z型结构。功率模块在使用时，电性连接部与外部母排通过螺栓锁紧。本案...

低应力封装的功率模块。涉及一种半导体器件，尤其涉及低应力封装的功率模块的结构改进。包括散热基板、覆铜绝缘基板、若干功率芯片、外壳、功率端子、硅胶层和环氧树脂层；外壳与散热基板相适配，可拆卸固定设置在散热基板上，并与铜桥的顶面设有间距；外...

电极返修夹具。涉及半导体加工技术领域。包括：底模，所述底模上设有DBC放置槽；和顶模，所述顶模与所述底膜相适配，通过若干立柱，设置在所述底模的顶部；所述顶模上设有若干与DBC适配的电极支撑孔；若干顶模的中部设有开窗孔。具体的，所述立柱从...

低热阻H桥。属于功率半导体产品领域，尤其涉及对H桥结构的改进。提供了一种散热性能好，产品可靠性更高的低热阻H桥。所述覆铜陶瓷板包括陶瓷板本体、设于所述本体顶面的铜构造层和设于所述本体底面的覆铜层；所述铜构造层在所述陶瓷板顶面上设有四块相...

功率模块的压电极装置。涉及功率半导体产品领域，具体涉及一种功率模块的压电极装置。提供了一种结构简单、压制效率高、成品率高的功率模块的压电极装置。所述功率模块的相邻两个电极之间设有挡板，所述压电极装置包括驱动气缸和与驱动气缸相连的压块，所...