本发明涉及光波导技术领域，具体公开了光波导端面耦合器的制造方法及光波导端面耦合器，在制造光波导端面耦合器的过程中，在硅质的衬底晶圆上通过CMOS工艺中的CVD法沉积介质材料：氮氧化硅或碳氧化硅，在制造过程中可与电子器件的制造流程衔接，最...