本发明提供一种外延氧化镓薄膜的方法、β相氧化镓薄膜及应用，该方法包括：（1）将六方碳化硅衬底置于沉积区内；（2）将沉积区的温度升温至450~750℃，向沉积区内输入氧源和镓源，在六方碳化硅衬底的表面外延生长ε相氧化镓薄膜，外延生长时间为...