本发明提供了光电子器件，该光电子器件包括经由缓冲层在硅基板上生长的锑基变质光探测器。该器件包括分层结构。分层结构可以包括硅基板，在硅基板上方形成的缓冲层，以及在缓冲层上方形成的红外光探测器。在一些实施方案中，缓冲层包括具有子层的复合缓冲...

本发明的系统和方法描述了在单个衬底上生长基于RE的集成光子和电子层状结构。所述层状结构包括衬底，在所述衬底的第一区域上的外延扭转稀土氧化物层，和在所述衬底的第二区域上的稀土磷属元素化物层，其中所述第一区域和所述第二区域是非重叠的。

本文所述的实施例提供了一种分层结构，该分层结构包括衬底，该衬底包括第一孔隙率的第一多孔多层，在第一多孔多层上方外延地生长的有源量子阱覆盖层，以及在该有源量子阱覆盖层上方的第一孔隙率的第二多孔多层，其中第二多孔多层与第一多孔多层对准。

本文描述了生长层状结构的体系和方法。该层状结构包含：具有第一晶格常数的第一锗衬底层；具有第二晶格常数且在所述第一锗衬底层上外延生长的第二层，其中所述第二层具有第一成分和第二成分的复合物，并且具有在所述第一成分和所述第二成分之间的第一比例...

光伏二极管包括掺杂的III‑V族半导体材料的发射极层，该发射极层在该层的至少一部分中具有第一导电类型和第一带隙；稀氮化物III‑V族半导体材料的本征层，其具有由下式Ga1‑zInzNxAsySb1‑xy给出的组成，其中0

本发明中描述了用于III族氮化物结构的生长的成核层以及用于使所述成核层生长的方法。一种半导体可包括硅衬底和位于所述硅衬底上方的成核层。所述成核层可包括硅和深能级掺杂剂。所述半导体可包括形成在所述成核层上方的III族氮化物层。所述硅衬底和...

本文描述的系统和方法包括在稀土氧化物和半导体层之间的外延金属层。所述系统和方法据述用于生长分层结构(100)，该结构包括基底(102)，在基底上外延生长的第一稀土氧化物层(104)，在所述稀土氧化物上外延生长的第一金属层(106)层和在...

本发明提出了一种层型结构(1100，1030)，其包含外延生长在金属层之上的结晶压电III‑N层(1110，1032)，所述金属层外延生长在半导体(1102，1002)上的稀土氧化物层之上。所述稀土氧化物层包括至少两个分立部分(1104...

本文所述的系统和方法可以包括具有第一晶格常数的第一半导体层，在第一半导体上外延生长的稀土磷属元素化物缓冲层，其中与第一半导体相邻的稀土磷属元素化物缓冲层的第一区域具有小于1％的净应变，在稀土磷属元素化物缓冲层上外延生长的第二半导体层，其...

一种结构可包括具有第一晶格常数的III‑N层、在III‑N层上外延生长的具有第二晶格常数的第一稀土磷属元素化物层、在所述第一稀土磷属元素化物层上外延生长的具有第三晶格常数的第二稀土磷属元素化物层和在所述第二稀土磷属元素化物层上外延生长的...

多结光伏器件及其制备方法，其中多结光伏器件是具有两个或更多由半导体材料形成的光吸收元件的多结光伏器件，其包括：第一硅锗或硅锗锡材料元件，第二硅锗锡材料元件，其中，第一硅锗或硅锗锡材料元件和所述第二硅锗锡材料元件与砷化镓晶格匹配。

一种光电器件，包括III‑V族材料层(3)和IV族材料层(1)之间的界面(8)，以及位于或接近所述界面设置的薄的硅扩散阻挡层(6)。所述硅阻挡层限制V族原子到掺杂n型的IV族材料的扩散，从而其被n型掺杂。n型掺杂区域可以在IV族材料中提...