本文描述系统和方法从而包括在稀土氧化物和半导体层之间的外延金属层。描述系统和方法从而生长层状结构，包含衬底，在衬底上方外延生长的第一稀土氧化物层，在稀土氧化物层上方外延生长的第一金属层，和在第一金属层上方外延生长的第一半导体层。具体地，...

鉴于III‑N层生长工艺中的高温问题，本文描述的实施例使用分层结构，分层结构包括稀土氧化物(REO)或稀土氮化物(REN)缓冲层和多晶III‑N‑RE过渡层以从REO层过渡到III‑N层。在一些实施例中，III‑N层的压电系数通过分层结...

描述了用于在Si