在SiC晶体升华生长中，在坩埚中装入具有间隔开的位置关系的SiC源材料和SiC籽晶，并且在该生长坩锅内的籽晶周围设有阻隔件。所述阻隔件在生长坩埚内的第一侧限定其中SiC单晶在SiC籽晶上生长的生长区域。所述阻隔件在生长坩埚内的第二侧限定...

一种坩埚具有以间隔关系设置在坩埚顶部上方的第一电阻加热器以及第二电阻加热器，该第二电阻加热器具有以间隔关系设置在坩埚底部下方的第一电阻部和以间隔关系围绕坩埚侧部的外侧设置的第二电阻部。坩埚设置有位于坩埚内部的顶部的籽晶和在坩埚内以间隔关...

在生长ＳｉＣ晶棒时，在生长用坩埚内设置生长导向器，其中所述坩埚的底部装有ＳｉＣ源材料，而所述坩埚的顶部装有ＳｉＣ籽晶。所述生长导向器具有内层和外层，其中所述内层限定了所述生长导向器中的开孔的至少一部分，并且所述外层在坩埚内支承着所述内层...

针对物理气相传输方法和系统，本发明提供了装有具有间隔开的位置关系的源材料和籽晶的生长容器。本发明还提供了至少一个皿，该皿具有至少一根在皿内部和皿外部之间延伸的毛细管，其中所述皿的内部装有掺杂剂。将各个皿放置在所述的生长容器的内部。在生长...