本发明公开了一种用于提供可以用在磁性存储器中的磁性元件的方法和系统。该磁性元件包括被钉扎层、非磁性间隔层和自由层。该间隔层位于该被钉扎层和自由层之间。当写入电流通过该磁性元件时，该自由层可以利用自旋转移切换。该磁性元件还可包括阻挡层、第...

本发明公开了一种用于提供可以在磁存储器中使用的磁性元件的方法和系统。该磁性元件包括被钉扎层、非磁性间隔层和自由层。间隔层位于被钉扎层和自由层之间。当写入电流穿过磁性元件时，可使用自旋转移切换自由层。磁性元件还可包括阻挡层、第二被钉扎层。...

揭示了一种提供磁性元件的方法和系统。所述方法和系统包括提供被钉扎层，自由层以及被钉扎层和自由层之间的间隔层。所述间隔层是绝缘的，并具有规则的晶体结构。所述间隔层也设置成允许隧穿所述间隔层。一方面，对于所述间隔层，所述自由层由具有相对间隔...

揭露了一种提供磁性元件的方法及系统。所述方法及系统包括设置第一及第二被钉扎层、自由层及分别位于所述第一及第二被钉扎层与所述自由层之间的第一及第二势垒层。所述第一势垒层为绝缘的结晶ＭｇＯ且形成为容许隧穿通过所述第一势垒层。此外，所述第一势...

本发明公开了一种提供磁性元件的方法和系统。一方面，磁性元件包括至少一个被钉扎层（１１０）、自由层（１３０）、和位于被钉扎层（１１０）和自由层（１３０）之间的电流约束层（１２０）。被钉扎层（１１０）是铁磁性的并且具有第一磁化。电流约束层（...

本发明公开了一种提供磁性存储器的方法和系统。该方法和系统包括提供多个磁性元件，并且提供至少一个应力辅助层。该多个磁性元件的每一个都配置成使用自旋转移进行写入。该至少一个应力辅助层配置成在写入期间对该多个磁性元件的至少一个磁性元件施加至少...

本发明公开了一种提供能用于磁性存储器中的磁性元件的方法和系统。所述磁性元件包括被钉扎层、非磁性间隔层、自由层以及热辅助切换层。所述间隔层位于所述被钉扎层和自由层之间。所述自由层位于所述间隔层和热辅助切换层之间。所述热辅助切换层在所述自由...

本发明公开了一种用于提供能够在磁性存储器中使用的磁性元件的方法和系统。该方法和系统包括提供第一被钉扎层、阻挡层、自由层、导电非磁性间隔层和第二被钉扎层。每个被钉扎层具有被钉扎层易轴。所述被钉扎层易轴的至少一部分处于垂直方向。所述阻挡层位...

本发明涉及一种提供可用于磁性存储器的磁性元件的方法和系统。该磁性元件包括被钉扎层、间隔层、自由层和自旋势垒层。间隔层是非磁性的，位于被钉扎层和自由层之间。当写电流通过磁性元件时，使用自旋转移可转换自由层。自由层位于间隔层和自旋势垒层之间...

本发明揭露了一种提供可用于磁性存储器的磁性元件之方法及系统。该磁性元件包括第一被钉扎层、间隔层、自由层、自旋势垒层及第二被钉扎层。该间隔层为非磁性且驻留于该被钉扎层与该自由层之间。当写电流通过该磁性元件时，可使用自旋转移对自由层进行转换...

揭露了一种磁性存储器的设置方法及系统。该方法及系统包括设置多个磁性存储单元、多根字线、多根位线。各所述多个磁性存储单元包括多个磁性元件及至少一个选择晶体管。各所述多个磁性元件能够通过受驱动经过所述磁性元件的写电流利用自旋转移感应翻转来进...

描述了一种用于提供磁性存储器的方法和系统。磁性存储器包括多个磁性存储单元和至少一条位线以及与多个磁性存储单元相对应的多条源线。各磁性存储单元包括磁性元件，其被编程为：由被驱动在第一方向通过磁性元件的第一写电流形成高阻态，由被驱动在第二方...