本发明涉及物理气相沉积领域，具体的说是一种溅射系统和装置，本发明中的该系统由多靶溅射室或单靶溅射腔室、传送腔和进样室组成；传送腔能够互联晶圆预处理腔室实现晶圆的等离子体刻蚀清洗，晶圆的热退火处理工艺；传送腔能够互联单靶溅射腔体，实现污染...

本发明涉及镀膜技术领域，具体涉及一种磁控溅射设备及其使用方法，设备包括：磁控溅射室，磁控溅射室用于样片镀膜、清洗及加热溅射样片；冷却室，此冷却室设于磁控溅射室侧方，与磁控溅射室贯通连接；所述冷却室用于冷却样片；输送机构，此输送机构设于磁...

本发明涉及一种用于制备磁性薄膜的超真空沉积设备及其应用方法，设备包括为基片上沉积薄膜提供空间的溅射腔体；用于向溅射腔体内传输以及收回基片的进样腔体；使溅射腔体获得超真空环境的真空获得系统；还包括磁性承载台，磁性承载台包括基台、磁场、隔热...

本发明涉及了薄膜制备技术领域，具体的说是一种薄膜制备装置和系统，包括高真空传输腔，所述高真空传输腔通过超高真空插板阀连接超高真空物理气相沉积室A、超高真空物理气相沉积室B、超高真空电子束蒸发室和超高真空氧化室，超高真空物理气相沉积室A与...

本实用新型公开了一种适用于真空系统的全自动快速进样装置，包括：超高真空腔体，所述超高真空腔体的一侧设置有真空泵组和真空规，所述真空泵组和真空规通过法兰与超高真空腔体之间密封连接，所述超高真空腔体的另一侧设置有全自动磁力传样杆。本实用新型...