本发明属于半导体材料制备技术领域，提供了一种非破坏性的半导体材料SEM监控方法，该方法包括如下步骤：提供一样品，在样品上铺设软膜；对软膜加热，使其固化，得到转印模并将其从样品上取下；提供一硬质底板，在硬质底板上涂覆紫外压印胶，并利用物理...

本实用新型属于LED芯片技术领域，提供了一种LED外延结构及悬挂式芯片结构，LED外延结构包括衬底，衬底上设有第一GaN外延层，第一GaN外延层为具有槽面和梁面的沟槽结构，且槽面和梁面相间设置，槽面上覆盖有二氧化硅层或氮化硅层，第一Ga...

本发明涉及蓝宝石衬底制备技术领域，提供一种图形化蓝宝石衬底的制备方法，方法包括：在选取的蓝宝石平片上形成SiO

本发明属于LED芯片技术领域，提供了一种LED外延结构及其制作方法、悬挂式芯片结构及其制作方法，LED外延结构的制作方法包括：提供一衬底，在所述衬底上生长一N型的第一GaN外延层；在所述第一GaN外延层上作出沟槽，形成具有槽面和梁面的外...