本发明涉及可以形成大面积均匀薄膜的化合物半导体制造用水平反应炉。在化合物半导体制造用水平反应炉中，含有密闭的容器形状的反应炉外壳和具有几个容纳基板的基板容纳部分的上面，所述上面包括：位于上述反应炉外壳内部的接受器、接受器加热装置、从该接...