本发明涉及一种碳化硅衬底中微管缺陷的检测方法，包括以下步骤：S1，准备激光检测仪器；S2，取待检测碳化硅衬底，置于所述样片旋转系统上，利用所述激光检测仪器发射激光，聚焦在碳化硅衬底的上表面和下表面进行扫描，获得碳化硅衬底底面上表面微管缺...

本发明公开了一种n型掺杂碳化硅的外延生长工艺，是将碳化硅衬底置于反应腔室中，在氢气气氛中对衬底进行预刻蚀处理后，通入碳源和硅源作为生长源气，使用六甲基二硅氮烷作为n型掺杂源，由氢气携带六甲基二硅氮烷进入反应腔室，生长n型掺杂碳化硅外延片...

本发明涉及一种降低碳化硅外延薄膜表面缺陷的方法，包括：对碳化硅衬底进行清洗，进行碳化硅衬底表面刻蚀，采用线性缓变的方式，在刻蚀后的所述碳化硅衬底表面形成缓冲层；保持温度、压力与氢气流量不变，采用线性缓变的方式20~100s内改变SiHC...