本发明公开了一种基于二维半导体薄膜/绝缘层/半导体结构的电荷耦合器件，包括组成阵列的若干像素，所述像素自下而上依次包括栅极、半导体衬底、绝缘层、源极、漏极与二维半导体薄膜；所述源极和所述漏极水平间隔布置于所述绝缘层的上表面；所述二维半导...

本发明公开了一种带有雪崩增益的电荷耦合器件，包括组成阵列的若干像素，像素自下而上依次包括栅极、半导体衬底、绝缘层、源极、漏极与石墨烯薄膜；源极和漏极水平间隔布置于绝缘层的上表面；石墨烯覆盖在源极、漏极及其之间的绝缘层上表面；阵列中所有像...

本发明公开了一种基于二维材料薄膜/绝缘层/半导体结构的电荷耦合器件，包括组成阵列的若干像素，所述像素自下而上依次包括栅极、半导体衬底、绝缘层、二维材料薄膜、源极与漏极；所述二维材料薄膜覆盖在所述绝缘层的上表面；所述源极和所述漏极水平间隔...

本发明公开了一种柔性电荷耦合器件，包括组成阵列的若干像素，像素自下而上依次包括柔性基底、栅极、半导体衬底、氧化物绝缘层、源极、漏极与石墨烯薄膜；源极和漏极水平间隔布置于氧化物绝缘层的上表面；石墨烯薄膜覆盖在源极、漏极及其之间的氧化物绝缘...

本发明公开了一种基于SOI衬底的石墨烯/硅异质结CCD像素阵列，由像素组成阵列，像素自下而上依次为栅极、SOI基片衬底、氧化物绝缘层、源极、SOI基片的顶层硅、石墨烯薄膜与漏极；源极和漏极水平间隔布置于氧化物绝缘层上；石墨烯与SOI基片...

本发明公开了一种基于二维材料/绝缘层/半导体结构的低功耗电荷耦合器件，包括组成阵列的若干像素，像素自下而上依次包括栅极、半导体衬底、绝缘层、源极、漏极与二维材料薄膜层；源极和漏极水平间隔布置于绝缘层的上表面；二维材料薄膜层覆盖在源极、漏...

本发明公开了一种基于石墨烯/绝缘层/半导体结构的电荷耦合器件，包括组成阵列的若干像素，所述像素自下而上依次包括栅极、半导体衬底、绝缘层、源极、漏极与石墨烯薄膜；所述源极和所述漏极水平间隔布置于所述绝缘层的上表面；所述石墨烯薄膜覆盖在所述...

本发明公开了一种紫外线辐射对皮肤影响的监测方法，包括如下步骤：S1：通过移动终端设备设置用户皮肤类型，及获取用户的防紫外线工具的防晒指数，并根据用户皮肤类型、防晒指数，通过信号分析模块确定对应的紫外线辐射量临界值Hmax；S2：通过紫外...

本发明公开了一种光辐射对人眼损伤的监测方法，包括步骤：S1：通过紫外线、蓝光传感器实时获取紫外线、蓝光辐射强度并分别输出第一电流信号、第二电流信号；S2：通过信号处理模块处理第一电流信号、第二电流信号，得到第一数字信号和第二数字信号；S...

本实用新型公开了一种基于石墨烯的硅基紫外光电探测器，包括依次叠加的外延硅衬底、隔离层、硅窗口、顶电极和石墨烯薄膜，外延硅衬底具有重掺杂层和轻掺杂层。本实用新型通过采用石墨烯/硅结构形成的超浅结设计来增强紫外波段响应；通过在重掺杂底层上表...

本发明公开了一种基于石墨烯的硅基紫外光电探测器，包括依次叠加的外延硅衬底、隔离层、硅窗口、顶电极和石墨烯薄膜，外延硅衬底具有重掺杂层和轻掺杂层；制备方法为制备外延硅衬底后，在外延硅衬底上依次植上隔离层和顶电极，蚀刻出硅窗口，再将石墨烯薄...