杭州天裕光能科技有限公司专利技术

杭州天裕光能科技有限公司共有16项专利

  • 本实用新型公开了一种多功能组合式太阳能电池自动化测试装置,属于太阳能电池测试设备,现有对小组件的测试设备损耗大、成本高,生产效率低,且仅在1000W/m2下对非晶硅薄膜太阳能电池的电性能进行测试不能真实的反映出其在实际工作中的电性能;本...
  • 本实用新型公开了一种改善开路电压的非晶硅叠层太阳能电池,属于太阳能电池技术领域,是在透明导电玻璃基板上依次沉积顶电池非晶硅P型层、顶电池非晶硅缓冲层、顶电池非晶硅本征层、顶电池微晶硅N型层、底电池非晶硅P1层、底电池非晶硅P2层、底电池...
  • 本发明公开了一种改善非晶硅叠层太阳能电池开路电压的方法,属于太阳能电池技术领域。本发明将现有非晶硅叠层电池中底电池P型层结构改变为包括底电池非晶硅P1层、底电池非晶硅P2层、底电池非晶硅P3层的三P型层结构,该三层结构均为掺杂硼和碳的非...
  • 本实用新型公开了一种高效小组件自动化批量测试装置,属于太阳能电池测试设备,现有小组件测试设备损耗增大、成本增加和生产效率降低,本实用新型包括光源平台、测试架、可移动探针固定板、测试仪,采用光强强度为1000W/m2的模拟太阳光光源,通过...
  • 本实用新型公开了一种薄膜太阳能电池弱光电压自动化测试装置,属于太阳能电池测试设备,由于太阳能电池实际发电的环境大多是在弱光的条件下进行,那么太阳能电池在弱光下的电压输出能力则显得尤为重要。本实用新型是采用光强强度在0-200W/m2可调...
  • 本实用新型公开了一种夹层结构的非晶硅薄膜太阳能电池的背电极,属于非晶硅薄膜太阳能电池领域,现有非晶硅薄膜太阳能电池背电极电导率不够高、稳定性不够好,本实用新型是由自上而下依次复合在一起的第一ZnO薄膜层、第一Ag薄膜层、第二ZnO薄膜层...
  • 本实用新型公开了一种薄膜太阳能电池边缘绝缘用喷砂机内部挡板装置,属于太阳能电池制造设备,现有薄膜太阳能电池用自动喷砂机可能对基板内部电池区域造成损害的不足,本实用新型是从喷砂机顶部连接向下延伸的用于将欲喷砂的薄膜太阳能电池的边缘隔离在外...
  • 本实用新型公开了一种基于氧化锡前电极的非晶硅薄膜电池,属于非晶硅薄膜电池技术领域,其是由包括氧化锡前电极薄膜的氧化锡基板、第一非晶硅P型层、第二非晶硅P型层、非晶硅缓冲层、非晶硅本征层、非晶硅N型层和背电极层依次复合构成,所述的第一非晶...
  • 本实用新型公开了一种用非晶硅低温诱导制备的多晶硅薄膜,属于薄膜太阳能电池技术领域,现有金属诱导法结晶速率较慢,本实用新型是在基板上自下而上依次沉积硅化钛纳米线层和非晶硅薄膜层,由所述的硅化钛纳米线层诱导非晶硅薄膜层结晶成为多晶硅薄膜层,...
  • 本实用新型公开了一种基于ZnO纳米线的高效硅基薄膜太阳能电池,属于太阳能电池技术领域,本实用新型是在基板上自下而上依次沉积ZnO纳米线、硅基薄膜层、背电极层和封装材料层构成。本实用新型通过将ZnO纳米线复合到硅基薄膜太阳能电池内部,利用...
  • 本发明公开了一种基于ZnO纳米线的高效硅基薄膜太阳能电池,属于太阳能电池技术领域,本发明是在基板上自下而上依次沉积ZnO纳米线、硅基薄膜层、背电极层和封装材料层。本发明通过将ZnO纳米线复合到硅基薄膜太阳能电池内部,利用ZnO纳米线巨大...
  • 本发明公开了一种用非晶硅低温诱导制备多晶硅薄膜的方法,属于薄膜太阳能电池技术领域,现有金属诱导法结晶速率较慢,本发明是在基板上自下而上依次沉积硅化钛纳米线层和非晶硅薄膜层,由所述的硅化钛纳米线层诱导非晶硅薄膜层结晶成为多晶硅薄膜层,由此...
  • 本发明公开了一种高质量非晶硅本征层的无氢气稀释制备方法,属于非晶硅薄膜电池技术,现有氢气稀释硅烷造成能源的浪费和温室效应,本发明是按照以下参数沉积:沉积温度为160-270℃;沉积功率密度为0.003-0.04W/cm2;沉积压力为30...
  • 本发明公开了一种提高非晶硅薄膜电池弱光响应的方法,属于半导体领域,现有P层a-SiC与I层a-Si的异质结造成P/I界面的应力集中和界面缺陷密度,本发明是在用包含H2气体、SiH4气体的原料通过SiH4气体的分解反应沉积P层和I层时进行...
  • 本发明为解决现有技术中薄膜太阳能电池背电极电导率不高,稳定性差在使用中反射能力下降的不足,公开了一种薄膜太阳能电池背电极,其是由下列五层薄膜组成的复合层,依次为第一Y:ZNO层、第一Ag层、第二Y:ZNO层、第二Ag层和X层,所述第一Y...
  • 本发明公开了一种基于氧化锡前电极的硅薄膜电池,它通过如下步骤制备得到:1)将氧化锡基板预加热到200-230度;2)采用等离子体化学气相沉积镀膜设备,在步骤1)加热后的基板上,采用两步沉积法,依次沉积制得第一P型层和第二P型层,所述第一...
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