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杭州电子科技大学专利技术
杭州电子科技大学共有19426项专利
一种太阳能低温热发电原型器件制造技术
本实用新型涉及一种利用太阳光照的热能进行低温发电的太阳能低温热利用发电原型器件。目前还没有利用太阳能的低温转换为电能的相关技术。本实用新型绝缘平板材料基板上设置有P型下平板电极和N型下平板电极,p型Bi↓[2]Te↓[3]热电材料柱体和...
压电换能器装配在线计算机控制装置制造方法及图纸
本实用新型公开了一种压电换能器装配在线计算机控制装置。它具有依次相连接的压电换能器装配机、电压表、A/D转换器、计算机、伺服电机、压力阀、液压泵,压电换能器装配机具有底座,在底座中间设有油缸,并由螺栓固定,油缸侧面设有油缸出油管、油缸进...
抗ESD的集成SOI LIGBT器件单元制造技术
本实用新型涉及一种集成抗静电损伤二极管的SOI LIGBT器件单元。常规的SOI LIGBT由于高压静电引起栅击穿造成静电损伤。本实用新型包括半导体衬底、隐埋氧化层、漂移区、阱区、阱接触区、阴极区、抗ESD二极管阴极区、栅氧化层、缓...
压电换能器装配在线计算机控制系统技术方案
本发明公开了一种压电换能器装配在线计算机控制系统。它具有依次相连接的压电换能器装配机、电压表、A/D转换器、计算机、伺服电机、压力阀、液压泵,压电换能器装配机具有底座,在底座中间设有油缸,并由螺栓固定,油缸侧面设有油缸出油管、油缸进油管...
集成抗ESD二极管的SOI LIGBT器件单元制造技术
本发明涉及一种集成抗静电损伤二极管的SOI LIGBT器件单元。常规的SOI LIGBT由于高压静电引起栅击穿造成静电损伤。本发明包括半导体衬底、隐埋氧化层、漂移区、阱区、阱接触区、阴极区、抗ESD二极管阴极区、栅氧化层、缓冲区、阳...
抗ESD集成SOI LIGBT器件单元的工艺方法技术
本发明涉及集成抗ESD二极管的SOI LIGBT器件结构的SOI CMOS VLSI工艺实现方法。现有方法制作的SOI LIGBT器件没有集成抗ESD结构与功能。本发明通过将常规SOI LIGBT器件的SOI CMOS V...
一种改善氮化镓功率晶体管散热性能的方法技术
本发明涉及一种提高氮化镓功率晶体管散热性能的方法。目前氮化镓功率晶体管不能同时保证低成本和高散热性。本发明该方法步骤为:在蓝宝石基底上外延生长氮化镓功率晶体管材料,研制成蓝宝石衬底氮化镓功率晶体管;把研制好的氮化镓功率晶体管正面粘贴在另...
一种P型透明导电的锡锑氧化物薄膜材料及其制造方法技术
一种制造P型透明导电的锡锑氧化物薄膜材料的方法,采用以下工艺步骤:1)利用金属锡和金属锑,制作锡锑合金块体,其中锡与锑重量比为1∶4~10∶2)把锡锑合金块体加工成磁控溅射靶材;3)利用锡锑合金靶材,在玻璃衬底上磁控溅射沉积锡锑合金薄膜...
一种P型掺氮的氧化亚铜薄膜材料及其制造方法技术
一种P型掺氮的氧化亚铜薄膜材料,其特征在于:该氧化亚铜薄膜材料中氮的掺杂浓度为1×10↑[15]cm↑[-3]~5×10↑[19]cm↑[-3],材料的晶相结构为单一的氧化亚铜相,其分子式为Cu↓[2]O∶N;该薄膜材料采用直流反应磁控...
一种铟镓共掺的低阻P型二氧化锡薄膜材料及其制造方法技术
一种铟镓共掺的低阻P型二氧化锡薄膜材料及其制造方法,其特征在于:该薄膜材料的分子通式可表示为Ga↓[x]In↓[y]Sn↓[1-x-y]O↓[2],其中X的取值范围为0.09~0.15,y的取值范围为0.15~0.25,两者之比满足0....
一种铟铝共掺的低阻P型二氧化锡薄膜材料及其制造方法技术
一种铟铝共掺的低阻P型二氧化锡薄膜材料,其特征在于该薄膜材料的分子通式为Al↓[x]In↓[y]Sn↓[1-x-y]O↓[2],其中X的取值范围为0.07~0.12,y的取值范围为0.15~0.26,且满足0.40≤X/y≤0.50;制...
一种太阳能低温热发电原型器件及制造方法技术
本发明涉及一种利用太阳光照的热能进行低温发电的太阳能低温热利用发电原型器件及制造方法。目前还没有利用太阳能的低温转换为电能的相关技术。本发明绝缘平板材料基板上设置有P型下平板电极和N型下平板电极,p型Bi↓[2]Te↓[3]热电材料柱体...
核壳结构纳米热电材料的制备方法技术
本发明涉及一种核壳结构纳米热电材料的制备方法。传统的单一结构的热电转换效率低。本发明具体步骤是:将金属A和物质B放入反应釜中,加入碱、溶剂、助剂,110~500℃下保温2~48小时,生成化合物C;将化合物C取出用去离子水或乙醇清洗干净后...
同轴电缆结构纳米热电材料的制备方法技术
本发明涉及一种纳米热电材料。本发明包括线状纳米内芯和同轴设置的外套,二者采用不同的热电材料。制备该结构纳米热电材料的方法是:将原料加入反应容器中,加入蒸馏水、硼氢化钾、氢氧化钠和对十二烷基苯磺酸钠,制得纳米内芯;将纳米内芯洗涤、干燥,分...
一种核壳结构纳米热电材料的制备方法技术
本发明涉及一种纳米热电材料的制备方法。目前方法制备的核壳结构纳米热电材料的核和壳结合不好。本发明的方法是:将原料加入反应容器中,加入蒸馏水、硼氢化钾、氢氧化钠和聚乙二醇,制得球状纳米内核;将球状纳米内核洗涤、干燥,分散在溶剂中,进行表面...
“8”字形定时开关制造技术
本实用新型涉及一种“8”字形定时开关,开关面板连接一“8”字形旋转杆,“8”字形旋转杆中内置定时开关电路,定时开关电路通过导线与电源开关电路连接,“8”字形旋转杆的“8字”一端圆圈内置一电源按钮开关,电源按钮开关与电源开关电路连接,“8...
方位开关制造技术
本实用新型涉及一种能够显示房间的方位开关,它包括开关,开关面板上的开关按钮为层状结构。优点:开关面板上与各个房间灯具相对应的层状开关按钮的设计,不仅可以从开关面板上决定哪一盏灯开启而且在夜晚也能方便操控所要开启的开关。
挂钩式开关面板制造技术
本实用新型涉及一种能够挂钥匙的挂钩式开关面板,它包括开关面板,开关面板下端置有挂钩且挂钩钩面设有琴键开关。优点:通过钥匙挂取,可以方便地控制室内照明灯电源的通或断,从而达到节约用电的目的。
方位指示开关制造技术
本实用新型涉及一种结构简单,可以指示房间方向的方位指示开关,圆形凸起按键位于方形开关面上,上下左右方向键位于圆形凸起键上,正中心为电源总开关。优点:一是结构简单、使用方便;二是可指示房间方位。
直显式电源通断开关制造技术
本实用新型涉及一种使用方便,可以直观显示状态的直显式电源通断开关,圆形凸起按键位于开关面板上且圆形凸起按键中间设有夜光显示手柄条,该夜光显示手柄条的两端与贯穿开关面板上的夜光显示条的端面水平相对。优点:一是可以直观显示开关的工作状态;二...
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