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海洋王照明科技股份有限公司专利技术
海洋王照明科技股份有限公司共有6146项专利
铥掺杂钼酸镧锂玻璃上转换发光材料、制备方法及其应用技术
一种铥掺杂钼酸镧锂玻璃上转换发光材料,其化学式为LiLa1-x(MoO4)2:xTm3+,其中0.01≤x≤0.05。该铥掺杂钼酸镧锂玻璃上转换发光材料的光致发光光谱中,铥掺杂钼酸镧锂玻璃上转换发光材料的激发波长为796nm,在475n...
铽镱共掺杂氧化钆上转换发光材料、制备方法及其应用技术
一种铽镱共掺杂氧化钆上转换发光材料,其化学式为Gd2O3:xTb3+,yYb3+,其中0.01≤x≤0.05,0.01≤y≤0.1。该铽镱共掺杂氧化钆上转换发光材料的光致发光光谱中,铽镱共掺杂氧化钆上转换发光材料的激发波长为980nm,...
钕镱共掺杂氧化锆上转换发光材料、制备方法及其应用技术
一种钕镱共掺杂氧化锆上转换发光材料,其化学式为ZrO2:xYb3+,yNd3+,其中0.01≤x≤0.1,0.004≤y≤0.06。该钕镱共掺杂氧化锆上转换发光材料的光致发光光谱中,钕镱共掺杂氧化锆上转换发光材料的激发波长为586nm,...
镨镱共掺杂二氧化钛上转换发光材料、制备方法及其应用技术
一种镨镱共掺杂二氧化钛上转换发光材料,其化学式为TiO2:xPr3+,yYb3+,其中0.02≤x≤0.1,0.02≤y≤0.2。该镨镱共掺杂二氧化钛上转换发光材料的光致发光光谱中,镨镱共掺杂二氧化钛上转换发光材料的激发波长为980nm...
镝掺杂钛钡玻璃上转换发光材料、制备方法及其应用技术
一种镝掺杂钛钡玻璃上转换发光材料,其化学式为aTiO2-bBaO-cB2O3-dSiO2:xDy3+,其中,a为0.3~0.4,b为0.2~0.3,c为0.1~0.2,d为0.2~0.3,x为0.001~0.01。该镝掺杂钛钡玻璃上转换...
镨镱共掺杂氟硼酸盐玻璃上转换发光材料、制备方法及其应用技术
一种镨镱共掺杂氟硼酸盐玻璃上转换发光材料,其化学式为H3BO3-BaF2-PbF2-ZnF2-AlF3-NaF:Pr3+,Yb3+,其中H3BO3,BaF2,PbF2,ZnF2,AlF3,NaF,Pr3+及Yb3+的摩尔比为48~55∶...
铥掺杂铝酸锶上转换发光材料、制备方法及其应用技术
一种铥掺杂铝酸锶上转换发光材料,其化学式为Sr1-xAl2O4:xTm3+,其中0.02≤x≤0.1。该铥掺杂铝酸锶上转换发光材料的光致发光光谱中,铥掺杂铝酸锶上转换发光材料的激发波长为796nm,在475nm波长区由Tm3+离子1G4...
钕镱双掺杂氯化钡上转换发光材料、制备方法及其应用技术
一种钕镱双掺杂氯化钡上转换发光材料,其化学式为BaCl2:xNd3+,yYb3+,其中,x为0.01~0.05,y为0.01~0.06。该钕镱双掺杂氯化钡上转换发光材料的光致发光光谱中,钕镱双掺杂氯化钡上转换发光材料的激发波长为586n...
含双荧蒽有机半导体材料、其制备方法及应用技术
本发明属于有机半导体材料领域,其公开了一种含双荧蒽有机半导体材料、其制备方法及应用;该含双荧蒽有机半导体材料具有下述结构通式:式中,D为其中,R为C1-C6的直链烷基或支链烷基。本发明的双荧蒽有机半导体材料,由于结构中引入了烷基链,提高...
有机电致发光器件及其制备方法技术
一种有机电致发光器件,包括阳极基底层(110)、位于该阳极基底层(110)上的空穴注入层(120)、位于该空穴注入层(120)上的发光层(130)及位于该发光层(130)上的阴极电极层(140),其中该空穴注入层(120)的材质为金属氧...
一种自动调光应急灯具制造技术
本发明实施例公开了一种自动调光应急灯具,包括应急电源、升压恒流模块、电源切换模块和场效应管Q2,升压恒流模块的负载包括第一负载电阻和第二负载电阻,第一负载电阻的两端分别与地和第二负载电阻的一端连接,第二负载电阻的另一端与场效应管Q2的源...
LED恒流驱动电路的过流保护电路制造技术
一种LED恒流驱动电路的过流保护电路,包括发光二极管、开关管及开关控制模块,开关管的输出端经与发光二极管电连接后接地;开关控制模块输入端电连接在开关管的输出端与发光二极管之间,输出端与开关管的控制端电连接;开关控制模块用于控制开关管的控...
稳压电路制造技术
一种稳压电路,其包括一个变压器T1、二极管D1和D3、稳压管D2、三极管Q1、电阻R1和R2、电容C1和C2。变压器T1包括初级绕组T1a、次级绕组T1b以及辅助绕组T1c。辅助绕组T1c一端接地,另一端通过电阻R1与二极管D1的正极连...
充电口组件及灯具制造技术
一种充电口组件,包括壳体、顶杆、密封圈、弹簧和充电孔,充电孔自孔口依次为前孔部、中孔部和后孔部,前孔部的孔径小于中孔部的孔径,前孔部与中孔部的接合处形成台阶;顶杆安装在充电孔内,密封圈套设在顶杆上,直径大于前孔部的孔径;弹簧安装在后孔部...
石墨烯纳米片与硅复合电极材料及其制备方法技术
本发明涉及一种石墨烯纳米片与硅复合电极材料及其制备方法,该制备方法包括如下步骤:惰性气体氛围下,将石墨烯纳米片与纳米硅按1~19∶1的质量比混合后置于球磨容器中球磨,所述球磨容器的转速为100-500转/分钟,球磨时间为2~4小时,得到...
硅与石墨烯复合电极材料及其制备方法技术
本发明涉及一种硅与石墨烯复合电极材料及其制备方法,该制备方法通过将氧化石墨烯溶液与纳米硅溶液混合,然后水热法还原氧化石墨烯,纳米硅能够很好的分散在石墨烯的片层之间,防止石墨烯团聚,可以使复合电极材料达到较高的比表面积;同时,该制备工艺流...
石墨烯/纳米硅复合电极片及其制备方法技术
本发明公开了一种石墨烯/纳米硅复合电极片,包括:集流体、沉积在所述集流体表面的石墨烯以及分散在所述石墨烯表面的纳米硅。这种石墨烯/纳米硅复合电极片中石墨烯和纳米硅直接沉积在集流体上,相对于传统的加入粘接剂的电极片,这种石墨烯/纳米硅复合...
硅、石墨烯复合材料的制备方法技术
本发明涉及一种硅、石墨烯复合材料的制备方法,通过将氧化石墨固体置于含硅的气体氛围中进行还原反应得到硅、石墨烯复合材料,制备过程相对简单,由于反应过程中产生的杂质均为气体物质,可以直接排出,无需复杂的干燥提纯步骤,可以直接得到产物,从而制...
石墨烯、硅复合材料的制备方法技术
本发明涉及一种石墨烯、硅复合材料的制备方法,制备过程中通过将混合均匀的纳米二氧化硅与氧化石墨的混合固体在还原性气体的氛围中进行还原反应得到石墨烯、硅复合材料,制备过程相对简单,由于反应过程中产生的杂质均为气体物质,可以直接排出,无需复杂...
石墨烯/锡氧化物复合电极片及其制备方法技术
本发明公开了一种石墨烯/锡氧化物复合电极片,包括:集流体、沉积在所述集流体表面的石墨烯以及锡氧化物,所述锡氧化物分散在所述石墨烯的片层结构上。这种石墨烯/锡氧化物复合电极片中石墨烯直接沉积在集流体上,锡氧化物分散在石墨烯的片层结构上,相...
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