本技术提供了一种单晶型SiC长晶装置,包括：炉体和加热装置；所述的炉体内设置有石墨坩埚，所述石墨坩埚的外表面包覆有隔热材料；所述的加热装置包括线圈，所述的线圈位置可沿着炉体的轴线方向移动，并可分层控制线圈的电流和/或电压；工作状态下，炉...