本发明提供一种p型氮化镓为主的三族氮化物半导体薄膜的薄膜溅镀过程，此技术所使用的靶材，其组成以氮化镓为主，另外还包含两种以上的金属组成，利用改变靶材组成，掺杂铜、镁、锌等金属，可以溅镀出p型氮化镓、氮化铝镓、氮化铟镓等半导体薄膜。靶材组...