本发明公开了一种促进大面积钙钛矿单晶均匀外延生长的方法，包括以下步骤：步骤1：卤化物衬底溶剂刻蚀处理：将卤化物衬底置入溶剂中，并进行加热对卤化物衬底进行热处理，改变衬底表面微观结构；步骤2：将经过溶剂刻蚀处理的衬底浸泡在钙钛矿单晶生长溶...

本发明提供了光刻图案化的方法，包括：S1、在单晶钙钛矿器件表面形成一封装材料层；S2、在封装材料层上旋涂一层负性光刻胶，形成目标图案；S3、对封装材料层上的目标图案区进行刻蚀减薄；S4、去除步骤S2中旋涂的负性光刻胶，再次旋涂一层负性光...

本发明提供了一种大面积超薄钙钛矿单晶的制备方法，包括：S1：获取钙钛矿籽晶；S2：将步骤S1的钙钛矿籽晶置入第一溶剂中，并加热对钙钛矿籽晶进行热处理，改变表面微观结构；S3：将处理后的钙钛矿籽晶放置在玻璃容器中，依次加入第二溶剂和钙钛矿...

本发明提供了一种基于多结外延剥离技术的钙钛矿单晶晶圆的制备方法，包括以下步骤：S1、提供立方晶型的钙钛矿单晶作为母衬底；S2、在母衬底上，异质外延生长单晶牺牲层，其中，在异质外延生长过程中，使用定向外延封端剂调节单晶牺牲层的生长取向，使...

本发明公开了一种钙钛矿单晶异质结外延生长的方法。该方法通过选择特定溶质的饱和酸性溶液，在不同种类的钙钛矿层上进行异质外延，柔性改变衬底表面母层钙钛矿晶格结构，缓解由于异质外延所导致的异质结处晶格突变引起的晶格失配问题，降低异质结处材料缺...

本发明提供了一种大尺寸单晶钙钛矿晶片的减薄抛光方法，该方法包括以下步骤：S1、对大尺寸单晶钙钛矿晶片进行减薄处理同时添加极性溶液以溶解钙钛矿；S2、在粗抛光液和抛光垫一的作用下进行粗抛光处理，以去除晶片表面损伤层提升表面光洁度；S3、采...