本实用新型提供了一种磁控溅射装置及磁控溅射系统，属于半导体制备领域。该磁控溅射装置包括壳体，壳体内设置有磁靶、靶材组件、用于安装基材的炉盘和用于调整靶材组件与基材之间的磁场强度的缓冲组件。磁靶固定于壳体的内壁并用于提供磁场，炉盘设置于壳...

本实用新型提供了一种锆靶材组件及磁控溅射装置，属于半导体制造领域。该锆靶材组件，包括锆靶材和背板。锆靶材包括一体成型的基底和凸台。基底具有上表面和下表面，背板设有凹槽，凹槽由底面和周面围合而成。基底的下表面焊接于凹槽的底面，基底的上表面...

本发明提供了一种磁控溅射设备及磁控溅射系统，属于半导体制造领域。该磁控溅射设备，包括壳体、磁靶、锆靶材组件、遮挡部以及用于安装基材的炉盘。壳体具有第一内壁、第二内壁和第三内壁，第一内壁和第二内壁相对间隔设置。第一内壁、第二内壁和第三内壁...

一种高比重合金的烧结方法，涉及一种粉末冶金过程烧结高比重量合金的方法。其过程采用真空烧结炉进行烧结；其特征在于烧结过程是将真空烧结炉在持续抽真空的情况下，同时通入保护性载气的条件下，进行烧结的。本发明的方法，能够避免真空烧结过程中高比重...

一种粉末冶金过程的真空烧结方法，涉及一种粉末冶金法制备含有高蒸气压易挥发组分的合金或陶瓷的烧结方法。其特征在于烧结过程是将原料粉末经混料、压制成压坯后，置于加盖的烧结箱体中，再在真空烧结炉中进行烧结。本发明的一种粉末冶金过程的真空烧结方...

本发明公开了一种焊粉，该焊粉的合金的重量百分比组成为：B：0.5-1%、Si:1.5-2%、Fe:3-7%、Cu：8-12%、Co：0.1-1%、不超过0.1%的杂质，余量为Ni。其生产过程包括准备原料，按比例配制原料，熔炼，雾化，冷却...