本发明涉及铁电场效应晶体管的结构以及相关方法，提供铁电场效应晶体管的结构以及形成铁电场效应晶体管的结构的方法。该结构包括栅极堆叠，该栅极堆叠具有铁电层、第一导体层，以及在该第一导体层与该铁电层间沿垂直方向设置的第二导体层。该第一导体层包...

本发明涉及芯片模块结构以及用于芯片模块设计的方法及系统，揭示包括射频集成电路(RFIC)芯片及封装件的芯片模块，以及用于设计该模块的方法及系统。执行芯片及封装件设计，以在芯片与封装件间分配该RF前端(FE)。该芯片包括具有第一差分端口的...

本申请涉及可重新配置的互补金属氧化物半导体装置及方法，揭示具有多种操作模式(如倍频模式等)的可重新配置的互补金属氧化物半导体装置。装置包括N型场效应晶体管(NFET)及P型场效应晶体管(PFET)，其是阈值电压可编程，并联连接，并具有电...

本发明涉及一种电荷捕获侧壁间隔型非易失性存储装置和方法，具体而言涉及一半导体结构，包括电荷捕获侧壁间隔型非易失性存储(CTSS