一种微紫外废气处理装置，其特征在于，包括废气管道以及与其连接的扩张导向槽，扩张导向槽出口端与处理及排气框，处理及排气框入口端由隔板分隔成多个空间，每个空间内设有一个废气处理装置，废气处理装置的出口端通过聚合排气管连接组合成多组，每个聚合...

本实用新型提供了一种无臭氧中央空调专用紫外线灯管，涉及空调灯管技术领域。一种无臭氧中央空调专用紫外线灯管，包括无臭氧石英管、电磁耦合器、固态汞合金、不锈钢弹簧、辅助金片和排气用尾管。本实用新型能产生高能量高密度的253.7纳米的射线。此...

一种转换臭氧的复合技术模块，包括主框体，所述主框体内滑动插设有网板，所述网板的一端固定连接有固定板，所述固定板的一端贯穿主框体的内侧壁并向外延伸，所述主框体的内侧壁上设有与固定板对应的贯穿口，所述贯穿口的内顶部滑动插设有插杆，所述固定板...

本实用新型公开了一种污水深度催化氧化处理装置，包括主箱体，所述主箱体的顶部通过转轴转动连接有盖板，所述盖板远离转轴的一端固定连接有卡块，所述卡块上滑动插设有卡杆，所述主箱体的外壁上设有与卡杆对应的卡槽，所述卡杆靠近主箱体的一端固定套接有...

本发明公开了一种转换臭氧的复合技术模块，包括主框体，所述主框体内滑动插设有网板，所述网板的一端固定连接有固定板，所述固定板的一端贯穿主框体的内侧壁并向外延伸，所述主框体的内侧壁上设有与固定板对应的贯穿口，所述贯穿口的内顶部滑动插设有插杆...

本发明公开了一种污水深度催化氧化处理装置，包括主箱体，所述主箱体的顶部通过转轴转动连接有盖板，所述盖板远离转轴的一端固定连接有卡块，所述卡块上滑动插设有卡杆，所述主箱体的外壁上设有与卡杆对应的卡槽，所述卡杆靠近主箱体的一端固定套接有卡套...

本发明提供一种有机废气光催化氧化装置，属于有机废气处理设备领域，包括设有进气口、出气口的壳体和用于使壳体内形成微波电磁场的微波发生器；所述壳体的进气口和出气口上均设有催化剂网板，所述壳体内设有紫外线灯管和光触媒板。本发明通过将微波、紫外...

本发明提供了水处理及废气处理装置领域内的一种始终保持最佳紫外线输出的杀菌装置，包括呈封闭结构的玻壳，玻壳上设置有开口朝向玻壳内腔的排气管，玻壳外设有至少一组电磁装置，电磁装置包括套装在玻壳外的磁环和绕装在磁环上的感应线圈，感应线圈连接在...

本实用新型提供了水处理及废气处理装置领域内的一种始终保持最佳紫外线输出的杀菌装置，包括呈封闭结构的玻壳，玻壳上设置有开口朝向玻壳内腔的排气管，玻壳外设有至少一组电磁装置，电磁装置包括套装在玻壳外的磁环和绕装在磁环上的感应线圈，感应线圈连...

本实用新型提供了有机废气处理装置领域内的一种超低温瞬间启动的电磁感应紫外线灯，包括呈封闭结构的石英管，所述石英管上设置有开口朝向石英管内腔的汞齐管，所述汞齐管内设有汞齐，所述石英管外设有至少一组电磁装置，所述电磁装置包括套装在石英管外的...

本发明提供了有机废气处理装置领域内的一种超低温瞬间启动的电磁感应紫外线灯，包括呈封闭结构的石英管，所述石英管上设置有开口朝向石英管内腔的汞齐管，所述汞齐管内设有汞齐，所述石英管外设有至少一组电磁装置，所述电磁装置包括套装在石英管外的磁环...

本发明公开了节能灯制造领域内的一种高熔点的微汞固汞及其在制灯中的应用方法，固汞中各组分的质量含量分别为：Bi70－85%；Ag1－5%；Zn?2－8%；Hg?5－20%。上述各组分金属材料混熔并制成直径1.3±0.1mm的汞球，在制灯时...

本实用新型涉及灭菌装置领域内的一种大功率高强度长寿命紫外线杀菌发生器，包括玻壳，所述玻壳内封装有氩气，玻壳内还设有铟网和汞齐，与玻壳对应设置有耦合器，所述耦合器包括磁芯和绕装在磁芯外的耦合线圈，所述耦合线圈两端经高频馈线连接高频发生器。...

本实用新型公开了照明装置技术领域内的双端散热的低频内耦合无极灯，包括玻壳，玻壳内封装有铟网和汞齐，玻壳上设有耦合腔，耦合腔内配合设置有耦合线圈，耦合线圈紧贴绕装在磁芯的外周，一导热棒从插入磁芯内；所述耦合腔贯穿玻壳，导热棒从耦合腔两端伸...

本实用新型涉及照明灯具领域内的散热良好的无极灯灯具，包括发光管，所述发光管设置在反射罩内，反射罩连接在灯壳上，发光管内设有磁芯管，磁芯管外绕装有耦合线圈；所述磁芯管内插入有导热管，所述导热管的一端为进气口，导热管另一端为出气口，所述进气...

本发明公开了属于制灯材料技术领域内的重结晶温度低于２００℃的固汞，其为Ｓｎ、Ｚｎ、Ｈｇ组成的ＳｎＺｎＨｇ合金，其中，Ｈｇ的重量含量为ＳｎＺｎＨｇ合金重量的４０－６０％；除汞以外的ＳｎＺｎ合金中，Ｚｎ的重量含量为５－１５％。本发明所获得的...

本发明公开了一种属于汞齐技术领域内的无铅汞齐，含有质量含量如下的组份Ｂｉ３０～７０％、Ｓｎ１０～５０％、Ｈｇ３～１２％、Ｉｎ０～２０％。采用常规合金汞齐的制备方法可以获得本发明所述的汞齐，采用本发明的汞齐，可以获得与Ｍ、Ｎ、Ａ、Ｂ等相同...

本发明公开了汞齐技术领域内的一种改进的ＢｉＩｎＨｇ汞齐，含有Ｂｉ、Ｉｎ、Ｈｇ，其中Ｂｉ、Ｉｎ、Ｈｇ质量含量分别为６０％－７０％、２５％－３５％、３％－８％，该汞齐中还含有质量含量为０．１％－３．５％的参杂元素，参杂元素为Ｐｔ、Ｉｒ、Ｐｄ...

本发明公开了一种用于荧光灯制造的汞齐材料领域内的适用于圆排车的低温汞齐，由质量含量如下的合金组分组成：Ｓｎ１５．５％－７９．５％，Ｓｂ０．５％－２０％，Ｚｎ０％－２０％，Ｃｕ０％－５％，Ｈｇ１８％－６０％。与现有技术相比，本发明的低温汞...