用于制造包括活化p

用于制造包括活化p‑(Al,In)GaN层的半导体器件的方法包括：在不会使p‑(Al,In)GaN层钝化的条件下将p‑(Al,In)GaN层暴露于H

一种改进的多量子阱太阳能电池能够通过确保每一量子阱薄层的带隙与其它这样的层相比是不均一的来实现。通过改变在连续形成的量子阱内的至少两种II族～VI族元素的含量，和/或改变连续的量子阱层的厚度而产生的带隙的渐变提供了跨越可利用的太阳能光谱...

一种用于在基片上沉积第Ⅲ族金属氮化物薄膜的装置，装置包含从氮源产生氮等离子体的等离子体发生器，反应室，在所述反应室中使包含第Ⅲ族金属的反应物和来自于氮等离子体的活性氮物种反应以在基片上沉积第Ⅲ族金属氮化物，便于氮等离子体从等离子体发生器...

本发明描述了一种通过远程等离子体强化化学汽相淀积生长第（Ⅲ）族金属氮化物薄膜的方法和装置。该方法包括，将选自衬底和包括缓冲层的衬底的目标在生长室内加热到大约４００℃至大约７５０℃的温度范围，在远离生长室的氮等离子体中产生活性中性氮种，并...

公开了一种富镓氮化镓薄膜的制造方法。该方法包括：（ａ）制备含有镓源和氮源的反应混合物，选择镓源和氮源以使得当它们彼此反应时形成氮化镓；以及（ｂ）通过以下方法由该反应混合物生长富镓氮化镓薄膜：在大约４８０℃至大约９００℃的温度下并且在氧气...