本技术公开了多微孔不规则起伏半导体衬底，包括衬底本体，所述衬底本体包括顶面、底面及侧面，所述顶面及底面为不规则起伏面，所述衬底本体上设置有多个联通顶面及底面的微孔。特别的，所述不规则起伏面的起伏均方根值不小于10纳米，微孔的当量直径在1...

本发明公开了一种非高掺杂下电势变化小于费米能级变化的半导体器件及其制备方法与主要应用；该半导体器件包括第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层设在所述第二半导体层上并与其形成半导体异质结或同质结。所述第一半导体层和所述第二半导体层的...