本发明属于可编程器件结构技术领域，具体涉及一种现场可编程逻辑阵列（ＦＰＧＡ）的通用互连盒（ＧＲＢ）结构。本发明ＧＲＢ结构不仅提供了水平互连资源与垂直互连资源之间的连接，也提供了ＣＬＢ／ＩＯＢ同互连资源的连接以及ＣＬＢ／ＩＯＢ管脚之间的直...

本发明属半导体铜互连化学机械抛光工艺领域，具体涉及一种粗糙打磨垫化学机械抛光工艺模型的建立方法。该方法采用概率密度函数来表征打磨垫表面的高度特性，用自相关函数来表征打磨垫表面的横向特性，并采用谱展开方法和非线性变换方法生成符合给定概率密...

本发明属于电子技术领域，具体涉及一种可编程逻辑器件互连资源的自动化故障遍历测试方法。本发明提出了一种自动生成与应用无关的测试配置集的方法，通过建立布线资源图，根据线网的走向动态设定各边的权重，利用改进的Ｋｒｕｓｋａｌ算法自动生成测试配置...

本发明属电源功率管理集成电路技术领域，涉及一种单线脉冲控制方式的ＬＥＤ驱动芯片，包括使能和逻辑控制电路、参考电压源、数字－模拟转换器和ＭＯＳ电流驱动器，所述的ＬＥＤ驱动芯片为ＬＥＤ阵列供电，使能和逻辑控制电路通过判断输入使能信号ＥＮ的逻...

本发明属电化学技术领域，具体涉及一种用于锂离子电池的阴极的硒化锂－二硒化三铜纳米复合物（Ｌｉ２Ｓｅ－Ｃｕ３Ｓｅ２）材料及其制备方法，该材料为薄膜形式，通过反应性脉冲激光沉积法制备获得。该薄膜制成的电极具有良好的充放电循环可逆性，首次比容...

本发明属电化学技术领域，具体涉及一种用于锂离子电池的阴极的硒化锂－三硒化二锑纳米复合物（Ｌｉ２Ｓｅ－Ｓｂ２Ｓｅ３）材料及其制备方法，该材料为薄膜形式，通过反应性脉冲激光沉积法制备获得。该薄膜制成的电极具有良好的充放电循环可逆性，首次比容...

本发明属于烯烃聚合催化剂技术领域，具体涉及一种非桥联半夹心铬系烯烃聚合催化剂及其制备方法和应用。该催化剂表达式为Ｃｐ＊ＣｒＬＣｌ，Ｌ表示可与金属配位的羟基茚满酮亚胺配体；Ｃｐ＊表示五甲基环戊二烯。助催化剂为三乙基铝，配合用于乙烯聚合反应...

本发明属于集成电路设计领域，提供了一种简单、高效的适用于多核处理器的互连结构－－局部集中化互连结构，同时提出了一种基于该结构的多核处理器层次化互连设计方法。该集中互连结构，结构简单，能有效降低多核处理器互连面积；同时有很高的灵活性，在处...

本发明公开了一种采用数字开关控制的低噪声带隙基准电压电路。该电路设置一组数字开关控制ＰＮＰ晶体管阵列，由数字信号控制ＰＮＰ管选通，以改变输出参考电压值，ＰＮＰ管阵列两端，分别连接至ＰＯＬＹ电阻中的Ｒ１和地之间。所述开关控制ＰＮＰ晶体管阵...

本发明提供一种应用于分数分频频率合成器的脉冲吞计数器，该可编程脉冲吞计数器包含一个可编程程序计数器和一个可编程吞计数器；与之相配合的双模Ｎ／Ｎ＋１预分频器的Ｎ为２的自然数次幂，规定可编程程序计数器的计数设定值Ｐ≥Ｎ、可编程吞计数器的计数...

本发明属化学合成领域，涉及叔亮氨酸的制备方法，具体涉及一种高选择性制备Ｄ（Ｌ）－叔亮氨酸的方法。本发明针对现有技术存在的缺陷，利用廉价易得的有机原料，通过迁移重排反应来高选择性地构筑叔亮氨酸的立体化学，提供一种高立体选择性地制备叔亮氨酸...

本发明属于生物材料和组织修复技术领域，涉及一种多层的多孔支架及其制备方法。本发明选择合适的多孔材料，按既定尺寸要求剪裁后，通过含聚合物／致孔粒子／溶剂组分混合的可致孔的粘合剂粘合，固化粘结后，除去致孔剂，制成具有相互连通多层结构的多孔支...

本发明公开了一种活性自由基聚合调控剂及其应用。该调控剂是硫化促进剂，即二硫化二异丙基黄原酸酯，可应用于可逆加成－裂解链转移自由基聚合。均聚：聚合前，将引发剂、调控剂、单体、溶剂混合后，置于反应瓶中，密封冻融脱气三次后，在一定温度下开始聚...

本发明涉及一种应用于超宽带４～５ＧＨｚ和６～９ＧＨｚ的频点间距为２６４ＭＨｚ的频率综合器，它以锁相环和单边带混频器为基本构件，将８４４８ＭＨｚ分别与辅助频率０、±２６４ＭＨｚ、－５２８ＭＨｚ、－７９２ＭＨｚ、－１０５６ＭＨｚ、－１３２０...

本发明涉及大分子领域，公开了一种聚醋酸乙烯酯类大分子、合成及其水解方法。一种聚醋酸乙烯酯分子量分布在１．３～１．７之间，聚合前，将引发剂、调控剂、单体、溶剂混合后，置于反应瓶中，密封冻融脱气三次后，开始聚合反应，制得聚醋酸乙烯酯。在此基...

本发明属于水处理技术领域，涉及一种工业污水净化处理的方法，特别是一种紫外线－Ｆｅｎｔｏｎ试剂－生物联合处理的方法及其装置。工业污水经过絮凝沉淀预处理后，进入光催化氧化池中进行光催化反应，进一步降低了污水的ＣＯＤ，提高了污水的可生化性；本...

本发明属存储器技术领域，涉及一种选通管复用结构的电阻存储器、阵列及其读操作方法。本发明的电阻存储器中包括一条用于读取数据的冗余位线和一个冗余存储电阻，读操作时，流过选中位线的电流与流过冗余位线的电流进行比较，可以读出选中位线上的存储电阻...

本发明属存储器技术领域，涉及一种一次编程电阻随机存储单元、阵列、存储器及其操作方法。本发明提供的一次编程电阻随机存储单元使用二元或者二元以上的多元金属氧化物作并具有２Ｔ２Ｒ的结构特点，通过第一个存储电阻和第二个存储电阻的状态组合差异来代...

本发明属于存储器技术领域，涉及一种一次可编程电阻型存储器测试方法。本发明利用一次可编程电阻型存储器的存储介质具有多次擦写容限的能力，在测试过程中进行擦除操作验证、存储功能验证和可靠性作测试。利用该测试方法可以大大提高一次可编程电阻型存储...

本发明属于材料制备技术领域，具体涉及一种以氨基化锂和硼氨为原料合成纯ＬｉＮＨ↓［２］ＢＨ↓［３］的方法。通过液态反应法或固态反应法制备得到所需产物，液态反应法具体步骤如下：在无水无氧的惰性气氛中将ＢＨ↓［３］ＮＨ↓［３］溶解于溶剂中，加...