根据本发明一实施例的半导体晶片处理装置包括：罐，其中填充有工艺所需的溶液；加热部，其用于对溶液进行初步加热；多个石英管，其用于将由加热部初步加热的溶液供给到每个半导体晶片；管加热单元，其位于每个石英管处且用于对经初步加热的溶液进行二次加...