一种溅射靶材，其使用了以质量％计纯度为99.99％以上、相对密度为98％以上、且平均晶粒直径不足5μm的氧化铝烧结体，或使用了以质量％计纯度为99.999％以上、且相对密度为98％以上的氧化铝烧结体。若使用该溅射靶材，则能够得到具有优异...

一种溅射靶材，其使用了以质量％计纯度为99.99％以上或进一步纯度为99.995％以上、相对密度98％以上且平均晶粒直径为8μm以下的氧化镁烧结体。该溅射靶材的平均晶粒直径为5μm以下、进一步平均晶粒直径为2μm以下是优选的。若使用该溅...

本发明提供一种高强度、低介电损耗的氧化钇烧结体。一种在１～２０ＧＨｚ的频率下的介电损耗ｔａｎδ为１×１０－４以下的氧化钇烧结体，其特征在于，其含有９９．９质量％以上的氧化钇，孔隙率为１％以下，平均晶粒直径为３μｍ以下，并且由下述（１）式...