本发明涉及雪崩光电二极管（APD）子组件和APD器件（200）。APD子组件包括：衬底（201）；形成在衬底（201）上的n‑型接触层（203）；p‑型接触层（202）；以及包含锑的雪崩层（206）。雪崩层（206）被设置在n‑型接触层...

本发明涉及雪崩光电二极管（APD）子组件和APD器件（400）。APD子组件包括：衬底（401）；形成在衬底（401）上的第一接触层（403）；第二接触层（402）；以及包含锑的雪崩层（406）。雪崩层（406）被设置在第一接触层（40...

本发明涉及雪崩光电二极管（APD）子组件和APD器件（100）。APD子组件包括：衬底（101）；形成在衬底（101）上的p‑型接触层（102）；n‑型接触层（102）；以及包含锑的雪崩层（106），雪崩层106被设置在p‑型接触层（1...