描述了一种生产具有高电子迁移率的晶体管的方法，并且提供了一种具有高电子转移率的晶体管。该方法的特征在于，首先，将外延层生长到平坦衬底上，然后从外延层的底侧再次完全移除平坦衬底，其中将导热层施加到外延层的底侧，使得导热层接触外延层的底侧的...

本发明涉及一种用于产生激光辐射的装置。本发明的目的是提供一种同时具有高效率和低远场发散度的激光二极管。根据本发明的二极管激光器包括电流阻挡层(5)，其特征在于，所述电流阻挡层(5)沿第三轴线(X)延伸，其中所述电流阻挡层(5)具有至少一...